[实用新型]半导体地暖装置有效

专利信息
申请号: 201320288625.3 申请日: 2013-05-23
公开(公告)号: CN203336676U 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 王静娜 申请(专利权)人: 王静娜
主分类号: F24D3/14 分类号: F24D3/14;F24D19/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315500 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种取暖设备或装置,尤其涉及一种半导体地暖装置,属于半导体应用领域。

背景技术

半导体是人类当代工业发展中不可或缺的材料,通常意义上讲,半导体是指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。

半导体材料可按化学组成来分,再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。

半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性,称为半导体材料的半导体材料特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别,而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有:禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然,对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。

20世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命;20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用,将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路,深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式,彻底改变人们的生活方式。

由此可见,半导体材料在人类现代化工业生产中起着举足轻重的作用,而伴随着半导体材料进行的各种产品研发、应用、设计等都是科研人员孜孜以求的目标。伴随着半导体材料的发展,我们认为可以有更多的应用和推广。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足,解决好现有技术的问题,弥补现有目前市场上现有产品的不足。

本实用新型提供了一种半导体地暖装置,包括壳体、水箱、增压泵和半导体电热丝,所述水箱和增压泵设置在所述壳体的壳腔内,水箱内包括第一箱体和设置于第一箱体下方的第二箱体,所述第一箱体和第二箱体通过热水管道进行连接,所述半导体电热丝缠绕在第一箱体的外壁上,所述第一箱体上设有用于连接进水管道的进水口;所述第二箱体上设有出水口,所述出水口通过增压泵连接出水管道。

优选的,上述热水管道上设置有控制阀。

优选的,上述第一箱体内设置有温度传感器。

优选的,上述热水管道设置在所述第一箱体的底部。

优选的,上述第一箱体内还设置有水位传感器。

优选的,上述壳体的内壁和外壁上均涂覆有保温材料层。

本实用新型提供的半导体地暖装置与传统的装置相比,本实用新型提供的半导体地暖装置设计了开启式和密闭式回水系统,有效地防止了憋气现象以及换季时必须的排气情况。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图中标记:1-壳体;2-水箱;3-增压泵;4-半导体电热丝;5-第一箱体;6-第二箱体;7-进水口;8-出水口。

具体实施方式

为了便于本领域普通技术人员理解和实施本实用新型,下面结合附图及具体实施方式对本实用新型作进一步的详细描述。

如图1所示为本实用新型的半导体地暖装置结构示意图,主体包括壳体1、水箱2、增压泵3和半导体电热丝4。

其中,所述水箱2和增压泵3设置在所述壳体1的壳腔内,水箱2内包括第一箱体5和设置于第一箱体下方的第二箱体6,所述第一箱体5和第二箱体6通过热水管道进行连接,所述半导体电热丝4缠绕在第一箱体5的外壁上,所述第一箱体5上设有用于连接进水管道的进水口7;所述第二箱体6上设有出水口8,所述出水口8通过增压泵3连接出水管道。

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