[实用新型]一种防静电保护器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种防静电保护器。

背景技术

静电在多个领域造成严重危害。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害，常常造成电子电器产品运行不稳定，甚至损坏。目前，集成电路常使用的电压为5伏特或者更低，而在一般情况下的静电压可高达数千甚至数万伏特以上，其对半导体金属管的栅极氧化层的破坏是很大的。因此，当静电荷产生的时候，在还没有聚集成有破坏性的静电压前，即将静电荷放电，变成了静电防护电路的重要课题。

实用新型内容

本实用新型提供一种防静电保护器，其连接在电子设备的IO端口和内部电路之间，能有效的作用于电子设备的静电泄放掉，避免静电对电子设备的内部电路造成破坏，且其电路结构简单，使用范围广。

为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

一种防静电保护器，它包括外壳和固定在外壳内的静电防护电路，所述的静电防护电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、P沟道场效应管、N沟道场效应管和二极管D1，所述的电阻R2与电阻R3连接，电阻R2的另一端连接在P沟道场效应管的漏极上，电阻R3的另一端与N沟道场效应管的漏极相连，所述的P沟道场效应管的栅极与源极相连且同时连接在VDD上，所述的N沟道场效应管的栅极和源极相连且同时接地，所述的二极管的负极连接在VDD上且负极接地，所述的电阻R1的一端连接在电阻R2和电阻R3之间。

更进一步的技术方案是:

所述的外壳设置有IO端口，所述的电阻R1的另一端连接在IO端口上。

所述的外壳上设置有内部电路接口，所述的内部电路接口与电阻R1的一端相连，且电阻R1的该端连接在电阻R2和电阻R3之间。

所述的电阻R2和电阻R1的阻值相等。

所述的二极管D1为稳压二极管。

在本实用新型中，外壳上的IO端口和内部电路接口分别连接在电子设备的IO端口和内部电路上。本静电保护器的电阻R1起限流的作用，以保护电子设备的内部电路；电阻R2和电阻R3同样起限流作用，以保护P沟道场效应管和N沟道场效应管。P沟道场效应管、N沟道场效应管为电压控制元件，其工艺简单，功耗小，节能，便于集成。

在进行静电测试时，VDD接地，IO端口加正静电电压，静电电流从P沟道场效应管的衬底寄生二极管直接流走。如果VDD接地，IO端口加负静电电压，则静电电流依次流过N沟道场效应管、二极管D1和P沟道场效应管。

   如果地线接地时，IO端口加正静电电压，静电电流依次流过P沟道场效应管、二极管D1、N沟道场效应管。如果IO端口加负静电电压，则静电电流通过N沟道场效应管的衬底寄生二极管流走。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型的能将作用于电子设备的静电泄放掉，有效的保护电子设备的电路。

2、本实用新型的电路结构简单，其不仅适用于大型的电子设备，也适用于MP3、MP4、手机等小型的电子设备，其使用范围广。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。

[实施例]

如图1所示的一种防静电保护器，它包括外壳和固定在外壳内的静电防护电路，所述的静电防护电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、P沟道场效应管、N沟道场效应管和二极管D1，所述的电阻R2与电阻R3连接，电阻R2的另一端连接在P沟道场效应管的漏极上，电阻R3的另一端与N沟道场效应管的漏极相连，所述的P沟道场效应管的栅极与源极相连且同时连接在VDD上，所述的N沟道场效应管的栅极和源极相连且同时接地，所述的二极管的负极连接在VDD上且负极接地，所述的电阻R1的一端连接在电阻R2和电阻R3之间。

所述的外壳设置有IO端口，所述的电阻R1的另一端连接在IO端口上。

所述的外壳上设置有内部电路接口，所述的内部电路接口与电阻R1的一端相连，且电阻R1的该端连接在电阻R2和电阻R3之间。

所述的电阻R2和电阻R1的阻值相等。

所述的二极管D1为稳压二极管。

如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化，凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案，均落入本实用新型的保护范围之内。