[实用新型]一种应用于高压的P-MOSFET驱动电路有效

专利信息
申请号: 201320200517.6 申请日: 2013-04-19
公开(公告)号: CN203261228U 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 朱洪雨;张博温;张东来 申请(专利权)人: 深圳市航天新源科技有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 胡吉科;孙伟
地址: 518000 广东省深圳市南山区科*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 高压 mosfet 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及航天电源系统、航空电源系统和航海电源系统用于驱动P-MOSFET的电路。

背景技术

在航天电源系统、航空电源系统或航海电源系统中,往往应用到P沟道MOSFET及其驱动电路。现有P-MOSFET的驱动电路一般只能应用于几十伏的低电压应用场合,原因是当其应用的电压较高以后,由于P-MOSFET自身的寄生电容参数较大,会造成损耗较大,同时驱动速度也会大大下降,二者往往很难在高压应用场合中进行折中。

实用新型内容

为解决包括有太阳能电池与蓄电池组成的航天电源系统、航空电源系统或航海电源系统中的现有P-MOSFET驱动电路无法应用在高压场合的技术问题,本实用新型提供一种应用于高压的P-MOSFET驱动电路,包括电源输入端、源输出端和栅输出端,所述电源输入端和所述源输出端电连接;所述驱动电路还包括后级开关电路、后级推挽电路、虚拟地电路和用于输出一个变化的电压以控制所述后级开关电路的开、关的前级控制电路;所述前级控制电路的输出端接所述后级开关电路的输入端;所述虚拟地电路的输入端接所述电源输入端,其用于对输入的电压进行降压处理后在其输出端输出一个稳定的电压;所述后级推挽电路的一个输入端接所述电源输入端,其另一个输入端接所述虚拟地电路的输出端,其控制端接所述后级开关电路的输出端,其输出端接所述栅输出端。

进一步的,所述前级控制电路的输入端接所述电源输入端,其控制端接脉宽调制单元;该前级控制电路根据所述脉宽调制单元的PWM控制信号输出一个变化的电压。

进一步的,所述前级控制电路包括前级开关电路和前级推挽电路;所述前级推挽电路的一个输入端接所述电源输入端,其控制端接所述前级开关电路的输出端,其输出端接所述后级开关电路的输入端;所述前级开关电路的输入端接所述前级控制电路的输入端。

进一步的,所述虚拟地电路包括相串接的稳压器和分压电路,所述虚拟地电路的输出端自所述稳压器和所述分压电路之间引出。

进一步的,在所述电源输入端与所述源输出端、所述前级控制电路、所述虚拟地电路和所述后级推挽电路的输入端之间接有隔离保护电路。

进一步的,所述稳压器包括多个同向串接的稳压二极管,所述分压电路包括若干电阻;所述前级开关电路采用第一三极管;所述前级推挽电路包括参数相同、极性不同的第二三极管Q2和第三三极管Q3、接于所述电源输入端与第二、第三三极管的基极之间的第二电阻R2、和接于所述第一三极管的集电极和第二、第三三极管的基极之间的第三电阻R3;所述后级开关电路采用第四三极管Q4;所述后级推挽电路包括参数相同、极性不同的第五三极管Q5和第六三极管Q6、接于所述电源输入端与第五、第六三极管的基极之间的第五电阻R5、和接于所述第四三极管的集电极和第五、第六三极管的基极之间的第六电阻R6;所述隔离保护电路包括多个同向并接的二极管。

本实用新型带来的有益效果是:

本实用新型的驱动电路具有寄生电容小,损耗小,效率高等优点,该驱动电路自动建立了电压稍低于应用电压的“虚拟地”,使得P-MOSFET开关的基准电压是建立在此“虚拟地”上,而不是0V的实际“地”。本实用新型人为制造出“虚拟地”,为驱动电路提供一个稳定的参考电平,使得驱动操作建立在较高的电压平台上,后级推挽电路结合虚拟地电平,再次产生电压移相,获得驱动电平,适合应用于高电压场合。

而且,本实用新型驱动电路可以大大降低驱动三极管的开关损耗,同时有利于提高驱动速度。前级同时需要另外一级电平转移电路,由于后级是输入阻抗较高的推挽电路输入端而非带有寄生电容的P-MOSFET,所以功耗也会极大降低,如此,整个P-MOSFET驱动电路的损耗降到最低,同时可以把驱动速度提高,实现驱动速度和损耗二者的折中。

附图说明

图1为本实用新型实施例驱动电路的电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图说明及具体实施方式对本实用新型进一步说明。

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