[实用新型]一种应用于高压的P-MOSFET驱动电路

权利要求书

1.一种应用于高压的P-MOSFET驱动电路，包括电源输入端（IN）、源输出端（Source）和栅输出端（Gate），所述电源输入端（IN）和所述源输出端（Source）电连接，其特征在于：还包括虚拟地电路（3）、后级开关电路（4）、后级推挽电路（5）和用于输出一个变化的电压以控制所述后级开关电路（4）的开、关的前级控制电路（10）；所述前级控制电路（10）的输出端接所述后级开关电路（4）的输入端；所述虚拟地电路（3）的输入端接所述电源输入端（IN），其用于对输入的电压进行降压处理后在其输出端输出一个稳定的电压；所述后级推挽电路（5）的一个输入端接所述电源输入端（IN），其另一个输入端接所述虚拟地电路（3）的输出端，其控制端接所述后级开关电路（4）的输出端，其输出端接所述栅输出端（Gate）。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于：所述前级控制电路（10）的输入端接所述电源输入端（IN），其控制端接脉宽调制单元（7）；该前级控制电路（10）根据所述脉宽调制单元（7）的PWM控制信号输出一个变化的电压。

3.根据权利要求1或2所述的驱动电路，其特征在于：所述前级控制电路（10）包括前级开关电路（1）和前级推挽电路（2）；所述前级推挽电路（2）的一个输入端接所述电源输入端（IN），其控制端接所述前级开关电路（1）的输出端，其输出端接所述后级开关电路（2）的输入端；所述前级开关电路（1）的输入端接所述前级控制电路（10）的输入端。

4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于：所述虚拟地电路（3）包括相串接的稳压器（31）和分压电路（32），所述虚拟地电路（3）的输出端自所述稳压器（31）和所述分压电路（32）之间引出。

5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于：在所述电源输入端（IN）与所述源输出端（Source）、所述前级控制电路（10）、所述虚拟地电路（3）和所述后级推挽电路（5）的输入端之间接有隔离保护电路（6）。

6.根据权利要求5所述的驱动电路，其特征在于：所述稳压器（31）包括多个同向串接的稳压二极管，所述分压电路（32）包括若干电阻；所述前级开关电路（10）采用第一三极管（Q1）；所述前级推挽电路（2）包括参数相同、极性不同的第二三极管（Q2）和第三三极管（Q3）、接于所述电源输入端与第二、第三三极管的基极之间的第二电阻（R2）、和接于所述第一三极管的集电极和第二、第三三极管的基极之间的第三电阻（R3）；所述后级开关电路（4）采用第四三极管（Q4）；所述后级推挽电路包括参数相同、极性不同的第五三极管（Q5）和第六三极管（Q6）、接于所述电源输入端与第五、第六三极管的基极之间的第五电阻（R5）、和接于所述第四三极管的集电极和第五、第六三极管的基极之间的第六电阻（R6）；所述隔离保护电路（6）包括多个同向并接的二极管。