[实用新型]单向HV LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED灯照明技术领域，特别是涉及一种单向HV LED芯片。 

背景技术

随着发光二极管的制程技术以及效率的不断提升，为了配合市场的发展需求，朝着更大功及更高亮度发展也就是高功率LED已经成为趋势。HV LED（高压LED）不仅能将家用交流电源透过外接全波整流器驱动，也可以直接用直流电驱动，HV LED芯片的发光效率比一般在正负半周转换的AC LED要高。也因为HVLED高电压的特性，使得在相同电功率输入时，相对于传统的DC LED芯片结构而言，可降低流过HV LED每块微晶粒之电流，也因为HVLED小电流、多微晶的设计，因此可提高电流分布的均匀性。 

HV LED微晶间的互联是利用基板上的布线完成的，封装制程简单，封装成本相对低廉，因此高压低电流的设计产生更佳的发光效率。即相比低压LED高压LED有两大明显竞争优势：第一，在同样输出功率下，HV LED所需的驱动电流大大低于低压LED。第二，HV LED可以大幅降低AC-DC转换效率损失。 

但是现有的HV LED芯片仅具有多个串联的LED微晶，每个HV LED芯片只有两个电极，HV LED芯片的拓展性、功能性和再设计性差。 

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术中存在的技术缺陷，而提供一种具有很强拓展性的单向HV LED芯片。 

为实现本实用新型的目的所采用的技术方案是： 

一种单向HV LED芯片,包括基板，密集形成在基板之上且依次串联的多个LED微晶以及封装，其特征在于：还包括两个分别与LED微晶串联电路的中间两个LED微晶连通的扩展端子，两个分别与扩展端子连通的LED微晶之间断路。 

所述的LED芯片的A极、K极和两个扩展端子呈矩形布列。 

一种单向HV LED芯片,包括基板和密集形成在基板之上的多个LED微晶，所述的多个LED微晶分为多组依次串联组成的LED微晶串，所述的LED微晶串所包含的LED微晶个数相同且各LED微晶串相并联设置，至少一个LED微晶串 的中间两个LED微晶分别与扩展端子连通，两个分别与扩展端子连通的LED微晶之间断路。 

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是： 

通过增加两个扩展端子，可以实现单个HV LED内部LED微晶的串并联互换，还可通过并联或串联不同的电器组件或功能电路实现多种拓展功能，实现HV LED的亮度、光谱和混色等多种便捷控制。实现一个HV LED芯片的多元化使用，减少型号开发，降低成本。如加入电阻,CCR恒流,或温度传感、由温度来自动调节回路电流,亦可串连不同的LED与其它器件，同时两个扩展端子也可以分开为二个不同回路使用，由设计者按需求任意组合。如增加外部传感器可根据外界环境变化控制光谱颜色亮度变化，还可以通过扩展端子进行微量电流的调节,借以产生光谱的主波移动，借以产生不同颜色光的混合。 

附图说明

图1所示为本实用新型第一实施例的单向HV LED芯片电路原理示意图； 

图2所示为本实用新型第一实施例的单向HV LED芯片结构示意图。 

图3所示为本实用新型的第二实施例原理示意图。 

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。 

如图1和2所示，本实用新型第一实施例的单向HV LED芯片,包括基板2，密集形成在基板之上且依次串联的多个LED微晶1以及封装，还包括两个分别与LED微晶串联电路的中间两个LED微晶连通的第一扩展端子3和第二扩展端子4，两个分别与扩展端子连通的LED微晶之间断路，所述的第一扩展端子和第二扩展端子借组封装与芯片进一步固定连接。其中，扩展端子的材质使用AU材质、在MOCVD设备上由蒸镀作业而产生。 

HV-LED的制备是采用半导体MOCVD（金属氧化离子蒸镀）工序，将大量的LED微晶按功能需求经高密度的排列在一定面积的基板上（蓝宝石或硅基板），并且LED微晶采用多个串联设置，这样交流电源经整流桥整流为高压直流电直接供LED发光，此与现有技术类似，在此不再描述。 

本实用新型的HV LED芯片将依次串联的LED微晶串中间两个LED微晶之间 的连接断开并分别在两个中间两个LED微晶上焊接连接扩展端子3和扩展端子4，增加两个扩展端子，增大了HV LED芯片的使用形式。在外观体现上，所述的LED芯片包括四个露出的端子，即呈矩形布列的A极、K极和第一扩展端子3和第二扩展端子4。