[实用新型]一种中高压IGBT终端

权利要求书

1.一种中高压IGBT终端，其特征在于，包括主结、场限环、截止保护环、场板和沟槽；其中，所述主结、所述场限环和所述截止保护环均在N-漂移区内，从所述主结向所述截止保护环的方向，依次有所述场限环和所述沟槽，在所述主结、所述场限环和/或所述截止保护环上有多个不连续的所述场板，所述沟槽截断所述沟槽所在处的耗尽层，所述耗尽层在所述IGBT终端上。

2.根据权利要求1所述的中高压IGBT终端，其特征在于，所述沟槽的槽深大于所述沟槽所在处的耗尽层深度。

3.根据权利要求2所述的中高压IGBT终端，其特征在于，所述沟槽的槽壁和沟槽的槽底均有P-区，在所述沟槽里填充有SiO₂或低介电常数绝缘介质。

4.根据权利要求3所述的中高压IGBT终端，其特征在于，所述P-区的厚度为2μm。

5.根据权利要求1所述的中高压IGBT终端，其特征在于，所述场板包括氧化层和金属场板，所述氧化层位于所述IGBT终端的上表面，所述金属场板位于所述氧化层上。

6.根据权利要求1所述的中高压IGBT终端，其特征在于，所述场板包括氧化层和半绝缘多晶硅场板，所述氧化层位于所述IGBT终端的上表面，所述半绝缘多晶硅场板位于所述氧化层上。