[实用新型]发光二极管的料带结构有效
申请号: | 201320099163.0 | 申请日: | 2013-03-05 |
公开(公告)号: | CN203134864U | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 林士杰;陈建佑;黄力威 | 申请(专利权)人: | 一诠精密电子工业(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 215343 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 结构 | ||
1.一种发光二极管的料带结构,其特征在于,包括:
一金属料带,冲压成型有多个支架构件,每一该支架构件包含开设在该金属料带的一镂空槽及形成在该镂空槽内的至少一导线架,每一该镂空槽由相对的二第一侧壁及相对的二第二侧壁所围设而成,每一该导线架包含一功能区及自该功能区两侧延伸有一对第一接脚及一对第二接脚,该对第一接脚自其中的一该第二侧壁延伸成型,该对第二接脚和另一该第二侧壁之间形成有一间隔空间;以及
多个绝缘座,覆盖每一该功能区并裸露出该对第一接脚及该对第二接脚。
2.根据权利要求1所述的发光二极管的料带结构,其特征在于,每一该支架构件具有间隔并列在该镂空槽内的二导线架,其中的一该导线架和其中的一该第一侧壁之间形成有一第一分隔空间,另一该导线架和另一该第一侧壁之间形成有一第二分隔空间。
3.根据权利要求2所述的发光二极管的料带结构,其特征在于,每一该镂空槽内的每一该绝缘座呈间隔配置,其中的一该绝缘座和其中的一该第一侧壁呈分隔配置,另一该绝缘座和另一该第一侧壁呈分隔配置。
4.根据权利要求1所述的发光二极管的料带结构,其特征在于,该功能区包含相互对应并分离的一第一支架段及一第二支架段,该第一支架段和该对第一接脚一体延伸成型,该第二支架段和该对第二接脚一体延伸成型。
5.根据权利要求4所述的发光二极管的料带结构,其特征在于,该第一支架段具有相对的二第一侧边,该第二支架段具有相对的二第二侧边,该绝缘座包覆该二第一侧边及该二第二侧边。
6.根据权利要求4所述的发光二极管的料带结构,其特征在于,每一该绝缘座呈一凹杯,该凹杯具有一周壁及形成在该周壁内的一底壁,该底壁裸露出该第一支架段及该第二支架段,该绝缘座在分离的该第一支架段及该第二支架段之间形成一绝缘段。
7.根据权利要求6所述的发光二极管的料带结构,其特征在于,更包括多个发光二极管芯片、多个导线及多个封装胶,每一该发光二极管芯片固定在裸露的该第一支架段上,该发光二极管芯片和该第一支架段电性连接,每一该导线一端电性连接该发光二极管芯片,另一端电性连接该第二支架段,每一该封装胶填充在该周壁及该底壁之间。
8.根据权利要求6所述的发光二极管的料带结构,其特征在于,更包括多个发光二极管芯片、多个导线及多个封装胶,每一该发光二极管芯片固定在裸露的该第二支架段上,该发光二极管芯片和该第二支架段电性连接,每一该导线一端电性连接该发光二极管芯片,另一端电性连接该第一支架段,每一该封装胶填充在该周壁及该底壁之间。
9.根据权利要求1所述的发光二极管的料带结构,其特征在于,每一该对第一接脚呈间隔并列的二I字状片体。
10.根据权利要求1所述的发光二极管的料带结构,其特征在于,该金属料带的厚度为0.25mm以上。
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