[实用新型]化学气相沉积设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种化学气相沉积设备。

背景技术

通常，为了在半导体晶圆上形成薄膜，需要在化学气相沉积设备中通入反应气体，在射频电源的作用下使反应气体分解成等离子体，并在半导体晶圆上聚合并形成薄膜。由于等离子体带有一定的电荷，当等离子体在半导体晶圆上聚合形成薄膜的同时，电荷则会残留在半导体晶圆上。半导体晶圆上电荷聚积过多则会对半导体晶圆内部器件造成一定的损伤，例如等离子引入损伤（PID）。因此，化学气相沉积设备都会形成完整的电路循环并排除多余的电荷。

请参考图1至图3，现有技术中化学气相沉积设备包括：

反应腔室10；

喷淋头20，设置于所述反应腔室内10的顶部；

加热器30，设置于所述反应腔室内10的底部；

引线40，穿过所述反应腔室10的底部并且接地；

射频带条70，一端通过第一螺丝50和第一垫片60与所述加热器30相固定，另一端通过第二螺丝80和第二垫片90与所述引线40相固定。

其中，所述加热器30、所述射频带条70、所述第一螺丝50、所述第一垫片60、所述引线40、所述第二螺丝80以及所述第二垫片90均为导体，从而使放置在所述加热器30上的半导体晶圆表面的电荷能够经由所述加热器30、所述第一螺丝50、所述第一垫片60、所述射频带条70、所述第二螺丝80、所述第二垫片90以及所述引线40排出。

然而，请参考图3，现有技术中的第二垫片90有一侧壁，且侧壁向两端弯折形成两卡壁，所述第二垫片90的剖面为侧“U”型，所述第二螺丝80穿过所述第二垫片90的侧壁顶住所述射频带条70，并将所述射频带条70的一部分固定在所述引线40上。其中，所述射频带条70被所述第二垫片90的两卡壁与所述第二螺丝80顶住的部分与所述引线40的表面能够完全紧贴，而所述射频带条70未被所述第二垫片90的两卡壁与所述第二螺丝80顶住的部分与所述引线40的表面则会存在一定的空隙，不能够完全紧贴。当化学气相沉积设备对半导体晶圆进行介质薄膜的沉积时，会有一定的介质薄膜形成在所述射频带条70与所述引线40之间的空隙中，降低所述射频带条70与所述引线40的导电性，从而导致半导体晶圆表面的电荷无法排出，进而损伤半导体晶圆内部的器件。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种化学气相沉积设备，以增强射频带条与引线之间的导电效果。

为了实现上述目的，本实用新型提出一种化学气相沉积设备，包括：反应腔室；

加热器，设置于所述反应腔室内的底部；

引线，引线穿过所述反应腔室的底部并且接地；

射频带条，一端与所述加热器相固定，另一端通过第一螺丝和第一垫片与所述引线相固定；

其特征在于，所述第一垫片为长方体。

进一步的，所述第一垫片的长度范围为1mm~6mm，宽度范围为1mm~3mm，高度范围为0.1mm~0.5mm。

进一步的，所述射频带条、所述第一垫片以及所述第一螺丝的材质为铜或铝。

进一步的，还包括喷淋头，所述喷淋头设置于所述反应腔室内的顶部。

进一步的，所述射频带条为片状，从其一端到其另一端的宽度逐渐变小，且两端均为圆弧型。

进一步的，所述射频带条的一端通过第二螺丝和第二垫片与所述加热器相固定。

进一步的，所述第二垫片为长方体。

进一步的，所述引线与所述反应腔室的底部相固定。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在：使用第一螺丝和长方体的第一垫片将射频带条与引线相固定，使所述射频带条与所述引线能够大面积紧贴，消除了所述射频带条与所述引线之间的空隙，防止介质薄膜形成在所述射频带条与所述引线之间，增强所述射频带条与所述引线的导电效果。

附图说明

图1为现有技术中化学气相沉积设备结构示意图；

图2为现有技术中加热器与引线连接的侧视图；

图3为现有技术中射频带条与引线连接的放大示意图；

图4为本实用新型实施例中化学气相沉积设备结构示意图；

图5为本实用新型实施例中射频带条与引线连接的放大示意图；

图6为本实用新型实施例中加热器与引线连接的侧视图。

具体实施方式

为了便于理解，下面结合具体实施例与附图对本实用新型进行更加详细的描述。

请参考图4及图5，在本实施例中提出一种化学气相沉积设备，包括：

反应腔室100；

加热器300，设置于所述反应腔室内100的底部，能够为半导体晶圆加热；