[实用新型]一种影像传感器结构有效
| 申请号： | 201320016896.3 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN203165886U | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 李平 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 湖北省武汉市湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 影像 传感器 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种影像传感器结构,其特征是:包括逻辑晶圆和器件晶圆,所述逻辑晶圆上设有有逻辑晶圆二氧化硅层,所述逻辑晶圆二氧化硅层上覆盖有逻辑晶圆顶层顶层金属,所述逻辑晶圆顶层金属上设有键合氧化物层,所述键和氧化层上设有器件晶圆顶层金属，所述器件晶圆顶层金属上设有器件晶圆二氧化硅层,所述器件晶圆器件晶圆二氧化硅层上为器件晶圆,所述器件晶圆二氧化硅层上设有沟槽，所述沟槽底部为器件晶圆顶层金属，所述器件晶圆顶层金属上设有键合层深通孔，所述键合层深通孔底部为逻辑晶圆金属层，所述键合层深通孔与沟槽之中布满铜。
2.根据权利要求1所述的一种影像传感器结构，其特征是：所述键合层通孔和沟槽与其中布满的铜之间设有一层阻挡层。
3.根据权利要求1所述的一种影像传感器结构，其特征是：所述逻辑晶圆顶层金属与键和氧化层之间设有阻挡层。
4.根据权利要求1所述的一种影像传感器结构，其特征是：所述器件晶圆顶层金属与键和氧化层之间设有阻挡层
5.根据权利要求2至4任一所述的一种影像传感器结构，其特征是：所述阻挡层为氮化钛阻挡层。
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