[发明专利]存储器件及其形成方法

说明书

一种存储器件及其形成方法，其中，存储器件的形成方法包括：提供衬底，衬底表面具有若干相邻的存储单元，存储单元包括：第一介质层、浮栅层、第二介质层、控制栅层和第一掩膜层，控制栅层内具有硅化物层，硅化物层至少覆盖部分控制栅层的侧壁；采用回退工艺去除部分硅化物层，使硅化物层平行于衬底表面方向的尺寸缩小；在回退工艺之后，在衬底和存储单元表面形成第三介质层；在第三介质层表面形成第四介质层；在第四介质层内形成开口，开口暴露出第一掩膜层的顶部表面、存储单元侧壁表面的部分第三介质层、以及相邻存储单元两侧的部分衬底表面；在开口内形成导电结构。所形成的存储器件性能稳定、可靠性提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储器件及其形成方法。

背景技术

在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：模拟电路、数字电路和数/模混合电路，其中存储器件是数字电路中的一个重要类型。近年来，在存储器件中，闪存（flash memory）的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，因此被广泛应用于各种急需要存储的数据不会因电源中断而消失，有需要重复读写数据的存储器。而且，闪存具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。因此，如何提升闪存的性能、并降低成本成为一个重要课题。

其次，发展高密度闪存技术，有利于各类随身电子设备的性能提高，例如以闪存作为数码相机、笔记本电脑或平板电脑等电子设备中的存储器件。因此，降低闪存单元的尺寸，并以此降低闪存单元的成本是技术发展的方向之一。对于或非门（NOR）电擦除隧穿氧化层（ETOX，Erase Through Oxide）闪存存储器（Flash Memory）来说，采用自对准电接触（Self-Align Contact）工艺能够使闪存存储单元的尺寸缩小。

图1是采用自对准电接触工艺形成的闪存存储器件的剖面结构示意图，包括：衬底100，所述衬底100表面具有若干相邻的存储单元101，所述存储单元101包括：位于衬底100表面的隧穿氧化层110、位于隧穿氧化层110表面的浮栅层111、位于浮栅层111表面的绝缘层112、位于绝缘层112表面的控制栅层113、以及位于控制栅层113表面的氮化硅层114；位于相邻存储单元101之间的衬底100内的源区或漏区102；位于所述存储单元101两侧衬底100表面的侧墙103；位于侧墙103表面、氮化硅层114表面以及相邻存储单元101之间衬底100表面的电互连结构105。

其中，为了降低控制栅层113的电阻，以提高闪存存储器件的性能和稳定性、降低能耗和热损耗，会采用自对准硅化工艺在控制栅层113内形成金属硅化物层115，且所述金属硅化物层115位于所述控制栅层113的部分侧壁表面。

然而，现有技术形成的闪存存储器件依旧稳定性较低、可靠性不佳。

发明内容

本发明解决的问题是一种存储器件及其形成方法，所形成的存储器件性能改善。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有若干相邻的存储单元，所述存储单元包括：位于衬底表面的第一介质层、位于第一介质层表面的浮栅层、位于浮栅层表面的第二介质层、位于第二介质层表面的控制栅层、以及位于控制栅层表面的第一掩膜层，所述控制栅层内具有硅化物层，所述硅化物层至少覆盖部分控制栅层的侧壁；采用回退工艺去除部分硅化物层，使所述硅化物层平行于衬底表面方向的尺寸缩小；在所述回退工艺之后，在所述衬底和存储单元表面形成第三介质层；在所述第三介质层表面形成第四介质层，所述第四介质层表面高于存储单元的顶部表面；在所述第四介质层内形成开口，所述开口暴露出第一掩膜层的顶部表面、存储单元侧壁表面的部分第三介质层、以及相邻存储单元两侧的部分衬底表面；在所述开口内形成导电结构。

可选的，所述回退工艺为各向同性的湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液为SC-1溶液。