[发明专利]存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有若干相邻的存储单元，所述各存储单元分别包括：位于衬底表面的第一介质层、位于第一介质层表面的浮栅层、位于浮栅层表面的第二介质层、位于第二介质层表面的控制栅层、以及位于控制栅层表面的第一掩膜层，所述控制栅层内具有硅化物层，所述硅化物层至少覆盖部分控制栅层的侧壁；

采用回退工艺去除部分硅化物层，使所述硅化物层平行于衬底表面方向的尺寸缩小；

在所述回退工艺之后，在所述衬底表面和存储单元侧壁和顶部表面形成第三介质层；

在所述第三介质层表面形成第四介质层，所述第四介质层表面高于存储单元的顶部表面；

在所述第四介质层内形成开口，所述开口暴露出第一掩膜层的顶部表面、存储单元侧壁表面的部分第三介质层、以及相邻存储单元两侧的部分衬底表面，所述第三介质层用于作为刻蚀形成所述开口时的刻蚀停止层；

在所述开口内形成导电结构，所述第三介质层用于在所述导电结构与存储单元的侧壁之间进行电隔离。

2.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述回退工艺为各向同性的湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液为SC-1溶液。

3.如权利要求2所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述SC-1溶液包括：去离子水、双氧水和氨水；所述离子水和氨水的体积比为5:1～5:0.25，所述双氧水和氨水的体积比为1:1～1:0.25，所述去离子水和双氧水的体积比为5:1。

4.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述浮栅层和控制栅层的材料为多晶硅。

5.如权利要求4所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述硅化物层的形成工艺包括：在衬底表面和部分存储单元的侧壁表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖第一介质层和浮栅层的侧壁，并且至少暴露出部分控制栅层的侧壁表面；在所述第二掩膜层表面和存储单元暴露出的侧壁和顶部表面形成金属层；采用退火工艺使金属层内的金属原子进入控制栅层内，在部分控制栅层内形成硅化物层。

6.如权利要求5所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为镍、钴、钛、钽中的一种或多种组合。

7.如权利要求6所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述硅化物层的材料为硅化镍、硅化钴、硅化钛、硅化钽或硅化钴镍。

8.如权利要求6所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述金属层的形成工艺为化学液相沉积工艺、化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺。

9.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为氧化硅；所述第二介质层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种组合；所述第一掩膜层的材料为氮化硅。

10.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述第三介质层与第四介质层的材料不同；所述第三介质层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种组合；所述第四介质层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低K介质材料中的一种或多种组合。

11.如权利要求10所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述第三介质层包括氧化硅层和位于氧化硅层表面的氮化硅层。

12.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，在形成第四介质层之前，采用各向异性的干法刻蚀工艺去除衬底和第一掩膜层表面的第三介质层，在存储单元的侧壁表面形成侧墙。

13.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，在回退工艺之前，采用离子注入工艺在存储单元两侧的衬底内形成轻掺杂区；在形成第三介质层之后，形成第四介质层之前，采用离子注入工艺在存储单元两侧的衬底内形成重掺杂区。