[发明专利]晶种层的形成方法、硅膜的成膜方法以及成膜装置

权利要求书

1.一种晶种层的形成方法，其中，所述方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备：

(1)将所述基底加热，在所述加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在所述基底表面上形成第一晶种层的工序；以及

(2)将所述基底加热，在所述加热了的基底表面上供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在形成有所述第一晶种层的所述基底表面上形成第二晶种层的工序，

将所述(1)工序中的处理温度设为不足400℃且所述氨基硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在所述基底表面上的温度以上，

将所述(2)工序中的处理温度设为不足400℃且所述乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在形成有所述第一晶种层的所述基底表面上的温度以上；

将所述(1)工序中的处理压力设为399.9Pa以上且1333Pa以下，

将所述(2)工序中的处理压力设为399.9Pa以上且1333Pa以下。

2.根据权利要求1所述的晶种层的形成方法，其中，在所述(1)工序中，所述第一晶种层是通过使所述氨基硅烷系气体中包含的至少硅吸附在所述基底表面上而形成的，

在所述(2)工序中，所述第二晶种层是通过使所述乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅吸附在形成有所述第一晶种层的基底表面上而形成的。

3.根据权利要求2所述的晶种层的形成方法，其中，不伴随化学气相沉积反应即CVD反应地分别进行所述(1)工序中的至少硅的吸附、以及所述(2)工序中的至少硅的吸附。

4.根据权利要求2所述的晶种层的形成方法，其中，以超过0nm且1nm以下的厚度的范围进行所述(1)工序中的至少硅的吸附、以及所述(2)工序中的至少硅的吸附。

5.根据权利要求4所述的晶种层的形成方法，其中，使包含所述第一晶种层和所述第二晶种层的晶种层的厚度为超过0nm且1nm以下的范围。

6.根据权利要求5所述的晶种层的形成方法，其中，以单原子层数量级的厚度的范围分别进行所述(1)工序中的至少硅的吸附、以及所述(2)工序中的至少硅的吸附。

7.根据权利要求1所述的晶种层的形成方法，其中，包含所述第一晶种层和所述第二晶种层的晶种层是非晶形的。

8.根据权利要求1所述的晶种层的形成方法，其中，所述氨基硅烷系气体选自包含至少一种以下物质的气体，所述物质为：

丁基氨基硅烷、

双(叔丁基氨基)硅烷、

二甲基氨基硅烷、

双(二甲基氨基)硅烷、

三(二甲基氨基)硅烷、

二乙基氨基硅烷、

双(二乙基氨基)硅烷、

二丙基氨基硅烷、

二异丙基氨基硅烷、

六乙基氨基乙硅烷、

式1：((R1R2)N)_nSi_XH_2X+2-n-m(R3)_m、

式2：((R1R2)N)_nSi_XH_2X-n-m(R3)_m，

其中，式1和式2中，

n为氨基数且为1～6的自然数；

m为烷基数且为0或1～5的自然数；

R1、R2、R3＝CH₃、C₂H₅、C₃H₇；

R1＝R2＝R3或者不相同；

或者R3＝Cl或F；

X为1以上的自然数。

9.根据权利要求1所述的晶种层的形成方法，其中，所述乙硅烷以上的高阶硅烷系气体选自包含至少一种以下物质的气体，所述物质为：

用Si_mH_2m+2式表示的硅的氢化物，其中，m为2以上的自然数；以及

用Si_nH_2n式表示的硅的氢化物，其中，n为3以上的自然数。