[发明专利]带保护膜CCD芯片封装工艺

说明书

 

发明领域

本发明涉及到CCD芯片封装技术，特别涉及到一种带保护膜CCD芯片封装工艺。

背景技术

现有技术CCD芯片封装工艺通常包括贴蓝膜、划片、清洗、扩晶、解片、芯片粘接、粘接固化、引线键合等多道工序。在封装过程中，CCD芯片的光敏面（即芯片正面）暴露在环境中，环境中的颗粒、人体及工具等带入的颗粒均可能引入芯片正面，遮盖光敏区，形成黑点或黑条缺陷，影响CCD的光响应非均匀性、疵点数等。另外，操作时引入的芯片正面的划伤也可能直接造成CCD的交直流短路。而封装是CCD芯片产品的最后一道工艺，封装过程造成的产品失效尤其不可接受。不论是封装过程中引入芯片正面的颗粒物，或者是操作过程引入的芯片正面的划伤，都会造成CCD芯片封装后产品不合格，严重制约了CCD芯片的封装成品率。显然，现有技术CCD芯片封装工艺存在着CCD芯片正面易被颗粒物污染和易被划伤，从而导致CCD芯片封装后不合格的问题。

发明内容

为解决现有技术CCD芯片封装工艺存在的CCD芯片正面易被颗粒物污染和易被划伤，从而导致CCD芯片封装后不合格的问题，本发明提出一种带保护膜CCD芯片封装工艺。本发明带保护膜CCD芯片封装工艺，包括，贴蓝膜、划片、清洗、扩晶、解片、芯片粘接、粘接固化、引线键合工序，其特征在于，在贴蓝膜工序前先在CCD芯片正面粘贴一层紫外光固化保护膜，在粘接工序后剥离紫外光固化保护膜，然后，再进行粘接固化和引线键合工序。

进一步的，本发明带保护膜CCD芯片封装工艺在CCD芯片正面贴上的紫外光固化保护膜为琳得科lintec公司生产的 Adill T-5782紫外光固化保护膜。

进一步的，本发明带保护膜CCD芯片封装工艺剥离紫外光固化保护膜的工序，包括：

S1、紫外光照射使保护膜失去粘性，所述紫外光的波长为365nm，功率为120mw/cm²,能量为160mJ/cm²；

S2、烘烤使保护膜发生卷缩，烘烤温度为100℃，烘烤时间为10分钟。

本发明带保护膜CCD芯片封装工艺的有益技术效果能够在CCD芯片封装过程中保护CCD芯片光敏面（即芯片正面）不受颗粒物的污染和/或划伤，提高了CCD芯片封装的合格率。

附图说明

附图1是现有技术CCD芯片封装工艺的流程示意图；

附图2是本发明带保护膜CCD芯片封装工艺的流程示意图；

附图3为本发明带保护膜CCD芯片封装工艺粘贴保护膜后CCD芯片的结构示意图。

下面结合附图及具体实施例对本发明带保护膜CCD芯片封装工艺作进一步的说明。

具体实施方式

附图1是现有技术CCD芯片封装工艺的流程示意图，由图可知，现有技术CCD芯片封装工艺通常包括贴蓝膜、划片、清洗、扩晶、解片、芯片粘接、粘接固化、引线键合等多道工序。在封装过程中，CCD芯片的光敏面（即芯片正面）暴露在环境中，环境中的颗粒、人体及工具等带入的颗粒均可能引入芯片正面，遮盖光敏区，形成黑点或黑条缺陷，影响CCD的光响应非均匀性、疵点数等。另外，操作时引入的芯片正面的划伤也可能直接造成CCD的交直流短路。显然，现有技术CCD芯片封装工艺存在着CCD芯片正面易被颗粒物污染和易被划伤，从而导致CCD芯片封装后不合格的问题。

附图2是本发明带保护膜CCD芯片封装工艺的流程示意图，附图3为本发明带保护膜CCD芯片封装工艺粘贴保护膜后CCD芯片的结构示意图，图中，1为紫外光固化保护膜，2为芯片，3为蓝膜。由图可知，本发明带保护膜CCD芯片封装工艺，包括，贴蓝膜、划片、清洗、扩晶、解片、芯片粘接、粘接固化、引线键合工序，其特征在于，在贴蓝膜工序前先在CCD芯片正面粘贴一层紫外光固化保护膜，在粘接工序后剥离紫外光固化保护膜，然后，再进行粘接固化和引线键合工序。

本发明带保护膜CCD芯片封装工艺在CCD芯片正面贴上的紫外光固化保护膜为琳得科lintec公司生产的 Adill T-5782紫外光固化保护膜。

本发明带保护膜CCD芯片封装工艺剥离紫外光固化保护膜的工序，包括：

S1、紫外光照射使保护膜失去粘性，所述紫外光的波长为365nm，功率为120mw/cm²,能量为160mJ/cm²； 

S2、烘烤使保护膜发生卷缩，烘烤温度为100℃，烘烤时间为10分钟。