[发明专利]纳米级二氧化硅的制备方法

权利要求书

1.一种纳米级二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括：

将含硅物质和氟化物混合后进行氟化反应，得到气相四氟化硅；

将所述四氟化硅高温水解得到纳米级二氧化硅；

对所述二氧化硅进行骤冷结晶得到颗粒状的所述二氧化硅；

其中，所述含硅物质包括：含硅金属氧化物的矿物或含二氧化硅的废料。

2.根据权利要求1所述的纳米级二氧化硅的制备方法，其特征在于，

所述四氟化硅高温水解中所述四氟化硅和水蒸气的体积比为：1:10～1:100。

3.根据权利要求2所述的纳米级二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述四氟化硅高温水解的水解温度为810～1500℃。

4.根据权利要求1所述的纳米级二氧化硅的制备方法，其特征在于，

所述骤冷结晶的冷却速度为50～200℃/min；冷却后温度处于100～200℃之间。

5.根据权利要求1所述的纳米级二氧化硅的制备方法，其特征在于，在所述对所述二氧化硅进行骤冷结晶得到颗粒状的所述二氧化硅之后，所述二氧化硅的制备方法还包括：

对颗粒状的所述二氧化硅依次进行聚集、分离、脱酸处理，得到粉末状二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的纳米级二氧化硅的制备方法的制作方法，其特征在于，在所述含硅物质和所述氟化物混合物中，所述氟化物的质量百分含量为10～90%，所述含硅物质和所述氟化物的粒径均小于等于7毫米。

7.根据权利要求6所述的纳米级二氧化硅的制备方法，其特征在于，

当所述氟化物为固态时，所述氟化反应为煅烧，煅烧温度为600～1300℃；当所述氟化物为氢氟酸时，所述氟化反应的温度为100-200℃；

氟化反应的反应时间为1～12小时。

8.根据权利要求1～7任一项所述的纳米级二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅的粒径为5～95纳米。

9.根据权利要求8所述的纳米级二氧化硅的制备方法，其特征在于，

所述含硅物质还包括：SiO₂粗颗粒；

所述含硅金属氧化物的矿物包括以下一种或多种：铝矾土、煤矸石、铁矿石；

所述氟化物包括以下一种或多种：NaF、NH₄F、氢氟酸、NH₄HF₂、AlF₃、CaF₂。