[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

在平板显示技术中，薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）具有功耗低、制造成本相对较低和无辐射的特点，因此在平板显示器市场占据了主导地位。TFT阵列基板和彩膜基板对盒部分的外围，设置引线衬垫（Lead PAD）区域。Lead PAD区域的主要作用是在阵列基板制备过程中，加入测试信号进行电学特性检测。如图1、图2，是目前主流的TFT阵列基板的栅极线所对应的Lead PAD区域的设计结构及其在A-A部位的截面示意图。如图1所示，该栅极线Lead PAD结构包括:基板1、一栅极线2、至少一个过孔8（图1中只示出一个过孔8）和测试衬垫9，其中附图标记12指示为阵列基板切割处。如图2所示，栅极绝缘层3覆盖在栅极线2上，钝化层5覆盖在上述各部分上。测试衬垫9通过栅极绝缘层3和钝化层5的过孔8与栅极线2相连接。如图3、图4，是目前主流的阵列基板的数据线所对应的Lead PAD区域的设计结构及其在A-A部位的截面示意图。如图3所示，该数据线Lead PAD结构包括:基板1、一数据线4、至少一个过孔10（图3中只示出一个过孔10）和测试衬垫11，其中附图标记13指示为阵列基板切割处。如图4所示，数据线4设置于栅极绝缘层3和钝化层5之间，钝化层5覆盖在上述各部分上。测试衬垫11通过钝化层5的过孔10与数据线4相连接。

通常阵列基板的制备工艺步骤分为：形成栅金属层，栅金属层包括栅极和栅极线；形成栅极绝缘层和非晶硅半导体层；形成源漏极金属层，源漏极金属层包括源电极、漏电极及数据线；形成钝化层；形成像素电极。

上述工艺由于在Lead PAD区域采用一体的无间断引线设计结构，在阵列基板进行切割工艺时，会对金属层及绝缘层造成破坏，产生细小裂纹，因此在使用过程中随着水蒸汽等的渗透，会出现栅金属层和源漏金属层的金属被腐蚀的现象。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法，以解决现有工艺制备的阵列基板在切割后，栅金属层和源漏金属层的金属容易被腐蚀的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明实施例提供一种阵列基板，包括：

一基板；

金属层形成的多条信号线，所述信号线在所述基板的切割区域断开；

多条连接引线，所述连接引线设置于所述信号线的相邻层，所述连接引线与所述信号线的断开处的位置对应，且与所述信号线直接接触；

其中，所述信号线断开位置的两端通过所述连接引线电连接。

本发明实施例中，在信号线的相邻层设置连接引线，信号线断开位置的两端通过该连接引线连接，避免上述阵列基板切割后的金属容易被腐蚀的问题。

优选的，所述信号线包括栅极线，所述连接引线包括第一引线；

其中，所述第一引线形成于所述基板之上，所述栅极线位于所述第一引线的上层。本实施例中，第一引线和栅极线设置于相邻的两层，从而实现第一引线和栅极线直接接触，避免采用过孔工艺，从而减少工艺复杂度。

优选的，所述信号线还包括数据线，所述连接引线还包括第二引线；

所述阵列基板结构还包括栅极绝缘层，所述第二引线形成于所述栅极绝缘层之上，所述数据线位于所述第二引线的上层。本实施例中，第二引线和数据线设置于相邻的两层，从而实现第二引线和数据线线直接接触，避免采用过孔工艺，从而减少工艺复杂度。

优选的，所述信号线包括栅极线，所述连接引线包括第一引线；

所述阵列基板结构还包括栅极绝缘层，所述第一引线形成于所述栅极绝缘层之上，所述栅极线位于所述第一引线的上层。本实施例中，第一引线和栅极线设置于相邻的两层，从而实现第一引线和栅极线直接接触，避免采用过孔工艺，从而减少工艺复杂度。

优选的，所述信号线还包括数据线，所述连接引线还包括第二引线；

其中，所述第二引线形成于所述基板之上，所述数据线位于所述第二引线的上层，所述栅极绝缘层形成于所述数据线之上。本实施例中，第二引线和数据线设置于相邻的两层，从而实现第二引线和数据线线直接接触，避免采用过孔工艺，从而减少工艺复杂度。

优选的，还包括多个公共电极，所述第一引线和所述公共电极同层设置。本实施例中，第一引线与公共电极同层设置，以减少制备工序和降低成本。

优选的，所述连接引线的材质为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌。本实施例中，连接引线采用惰性的材料制备，以提高耐腐蚀性能。