[发明专利]一种有机发光二极管以及显示面板和显示装置有效
申请号: | 201310684204.7 | 申请日: | 2013-12-13 |
公开(公告)号: | CN103681766A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 舒适;石岳;张锋;曹占锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 以及 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示领域,特别是指一种有机发光二极管以及显示面板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管OLED显示依靠其超薄、高色域、高对比度、宽视角、响应快等优点,已经成为下一代显示的主流方案。将RGBW(红绿蓝白)模式应用到OLED显示,可以提高亮度和提高OLED产品显示寿命。RGBW模式是指将传统的红绿蓝(RGB)三色混光形成图像,改变为红绿蓝白(RGBW)四色混光形成图像。RGBW方案可以有效提高亮度,对于OLED显示还可以实现提高显示产品寿命的效果。
但是所谓的W(白)像素,一般是透明树脂组成,白光OLED发出的光直接透过透明树脂被人眼接收。该结构存在一个问题,即环境自然光会入射至器件内部,被阴极(Cathode)反射后穿过透明树脂层被人眼接收,如图1所示,这样造成的结果是,当白色像素没有信号(暗态)时,由于阴极反射环境自然光,使白色像素呈现一定亮度,因此会降低显示色域及对比度,影响显示效果。
发明内容
本发明要解决的技术问题是,提供一种有机发光二极管以及显示面板和显示装置。
一种有机发光二极管,包括发光体结构,所述有机发光二极管还包括:
电致变色层,设置在所述发光体结构下方;以及
第一像素电极层,设置在所述电致变色层下方。
所述发光体结构包括:第二像素电极层、以及依次设置在所述第二像素电极层上的空穴注入层、有机发光层、电子注入层以及金属电极层。
所述空穴注入层和所述有机发光层之间还设置有空穴传输层。
所述有机发光层和所述电子注入层之间还设置有电子传输层。
所述电致变色层由有机电致变色材料组成。
所述有机电致变色材料为聚噻吩类、聚噻吩类衍生物、紫罗精类、四硫富瓦烯、金属酞菁类化合物或者聚苯胺类。
所述电致变色层由无机电致变色材料组成。
所述无机电致变色材料为WO3、MoO3或V2O5。
一种有机发光二极管显示面板,包括所述的有机发光二极管OLED。
一种显示装置,包括所述的有机发光二极管显示面板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
本发明提供的白光有机发光二极管器件结构,在像素电极供电时,即需要白色像素发光时,电致变色层呈透明状态;当白色像素处于非点亮状态,即像素电极无信号时,电致变色层呈着色态。采用本发明的底发射有机发光二极管器件结构,可以避免阴极反射自然光造成的色域降低及对比度降低,充分发挥RGBW模式的优势,提高显示效果。
附图说明
图1为本发明所述的一种有机发光二极管OLED的结构示意图;
图2为本发明所述的一种有机发光二极管OLED的另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
如图1所示,为本发明所述的一种有机发光二极管OLED,包括发光体结构11,所述有机发光二极管还包括:
电致变色层22,设置在所述发光体结构11下方;以及
第一像素电极层33,设置在所述电致变色层22下方。
可选的,如图2所示,所述发光体结构包括:第二像素电极层111;依次设置在所述第二像素电极层上的空穴注入层112、有机发光层113、电子注入层114以及金属电极层115。
可选的,所述空穴注入层112和所述有机发光层113之间还设置有空穴传输层116。
可选的,所述有机发光层113和所述电子注入层114之间还设置有电子传输层117。
其中,所述电致变色层22由有机电致变色材料组成。所述有机电致变色材料可以为聚噻吩类、聚噻吩类衍生物、紫罗精类、四硫富瓦烯、金属酞菁类化合物或者聚苯胺类。
其中,聚噻吩类及聚噻吩类衍生物例如为:聚三噻吩(PTT);紫罗精类例如为:1,1'-双取代基-4,4’联吡啶;四硫富瓦烯例如为:四噻富乙烯;金属酞菁类化合物例如为:单、双、三核酞菁钴磺酸盐、四羧基四羧基金属酞菁。
可选的,所述电致变色层由无机电致变色材料组成。所述无机电致变色材料可以为WO3、MoO3或V2O5。
可选的,所述电致变色层由有机无机复合电致变色材料组成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310684204.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:产后逐瘀颗粒
- 下一篇:提高多晶金刚石(PCD)的热稳定性的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的