[发明专利]双极PNP晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种双极PNP晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底上的外延层；

形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；

形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；

形成于所述第一层间介质层和电压调变介质层上的第一互连线；

形成于所述第一层间介质层和第一互连线上的第二层间介质层；

形成于所述第二层间介质层上的第二互连线；

其中，所述电压调变介质层覆盖于所述基区上，并通过所述第一互连线实现电性引出。

2.如权利要求1所述的双极PNP晶体管，其特征在于，所述集电区环绕于所述基区，所述基区环绕于所述发射区；所述第一互连线与所述深磷区、发射区和集电区连接，用于实现所述深磷区、集电区和基区的电性引出；所述第二互连线与所述发射区上的第一互连线连接，用于实现所述发射区的电性引出。

3.如权利要求1所述的双极PNP晶体管，其特征在于，所述电压调变介质层包括二氧化硅层和形成于所述二氧化硅层上的氮化硅层，所述第一互连线覆盖所述氮化硅层。

4.如权利要求3所述的双极PNP晶体管，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为150～800埃，所述氮化硅层的厚度为300埃～1800埃。

5.如权利要求1所述的双极PNP晶体管，其特征在于，所述外延层的厚度为2.5μm～4μm，所述外延层的电阻率为1.0Ω·cm～2.2Ω·cm。

6.如权利要求1所述的双极PNP晶体管，其特征在于，还包括形成于所述衬底和外延层之间的埋层和下隔离区，所述下隔离区环绕所述埋层，所述深磷区与所述埋层连接。

7.如权利要求6所述的双极PNP晶体管，其特征在于，还包括形成于外延层中的上隔离区，所述上隔离区与所述下隔离区连接。

8.如权利要求7所述的双极PNP晶体管，其特征在于，还包括形成于所述外延层表面的轻掺杂层，所述轻掺杂层的掺杂浓度比外延层的掺杂浓度高一个数量级。

9.如权利要求8所述的双极PNP晶体管，其特征在于，所述衬底、下隔离区、上隔离区、发射区和集电区的掺杂类型均为P型，所述外延层、埋层、轻掺杂层、深磷区和基区的掺杂类型均为N型。

10.如权利要求1所述的双极PNP晶体管，其特征在于，还包括形成于所述第二层间介质层和第二互连线上的钝化层。

11.一种双极PNP晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成外延层；

在所述外延层中形成深磷区、基区、集电区和发射区；

在所述外延层上形成第一层间介质层和电压调变介质层；

在所述第一层间介质层和电压调变介质层上形成第一互连线；

在所述第一层间介质层和第一互连线上形成第二层间介质层；

在所述第二层间介质层上形成第二互连线；

其中，所述电压调变介质层覆盖于所述基区上，并通过所述第一互连线实现电性引出。

12.如权利要求11所述的双极PNP晶体管的制造方法，其特征在于，所述集电区环绕于所述基区，所述基区环绕于所述发射区；所述第一互连线与所述深磷区、发射区和集电区连接，用于实现所述深磷区、集电区和基区的电性引出，所述第二互连线与位于所述发射区上的第一互连线连接，用于实现所述发射区的电性引出。

13.如权利要求11所述的双极PNP晶体管的制造方法，其特征在于，所述电压调变介质层包括二氧化硅层和形成于所述二氧化硅层上的氮化硅层，所述第一互连线覆盖所述氮化硅层。

14.如权利要求13所述的双极PNP晶体管的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅层厚度为150～800埃，所述氮化硅层厚度为300～1800埃。

15.如权利要求10所述的双极PNP晶体管的制造方法，其特征在于，所述外延层的厚度为2.5μm～4μm，所述外延层的电阻率为1.0Ω·cm～2.2Ω·cm。

16.如权利要求11所述的双极PNP晶体管的制造方法，其特征在于，在形成所述外延层之前，还包括在所述衬底中依次形成埋层和下隔离区，所述下隔离区环绕所述埋层，所述深磷区与所述埋层连接。