[发明专利]一种TO-220HF防水密封引线框架

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件封装的技术领域，尤其涉及一种TO-220HF防水密封引线框架。

背景技术

目前，现有的TO-220HF引线框架，芯片与引线框架的芯片部基片装配到位后进行塑封，由于芯片载片台的四周是平面，故引线框架与塑封料的结合强度低从而造成抗冲击强度弱以及防水性比较差的缺陷，另外，有的T0-220HF引线框架上的芯片载片台上虽然设置有防水槽，但防水槽下部未封闭形成闭环，且中间引脚根部无防水槽，防水效果不尽理想，经常会发现水汽或应力的冲击会从中间引脚和载片台下部无防水槽的部位突破，直接作用到载片台上的芯片上，导致产品测试时失效或上机时功能不良。

发明内容

鉴于现有技术中存在的上述问题，本发明的目的在于解决现有技术的缺陷，提供一种抗冲击性强以及防水效果好的T0-220HF防水密封引线框架。

本发明提供了一种TO-220HF防水密封引线框架，包括芯片载片台、内引线焊接部以及引线管脚，所述芯片设置在所述芯片载片台上，所述芯片载片台的上部设置有第一V型防水槽，所述芯片载片台的左侧设置有第二V型防水槽，所述芯片载片台的右侧设置有第三V型防水槽，所述芯片载片台的下部设置有第四V型防水槽，所述第一V型防水槽、第二V型防水槽、第三V型防水槽以及第四V型防水槽形成一闭合空间，所述第一V型防水槽外侧设置有宽度为0.30mm的第五V型防水槽，所述芯片载片台中间引线管脚的根部设置有宽度为0.04～0.16mm的第六V型防水槽，所述芯片载片台外侧两个引线管脚的根部均设置有宽度为0.03～0.15mm的第七V型防水槽。

进一步，所述第一V型防水槽、第二V型防水槽、第三V型防水槽以及第四V型防水槽的宽度均为0.20～0.40mm。

进一步，所述第一V型防水槽与所述第五V型防水槽之间的中心距为0.40～0.60mm。

进一步，所述第六V型防水槽的宽度为0.08～0.12mm。

进一步，所述第七V型防水槽的宽度为0.07～0.11mm。

进一步，所述第一V型防水槽、第二V型防水槽、第三V型防水槽以及第四V型防水槽的宽度均为0.30mm。

进一步，所述第一V型防水槽与所述第五V型防水槽之间的中心距为0.50mm。

本发明具有的优点和有益效果为：本实施的TO-220HF防水密封引线框架的芯片载片台的上部、左侧、右侧以及下部分别设置有第一V型防水槽、第二V型防水槽、第三V型防水槽以及第四V型防水槽，并构成一个闭合的防水空间，提高了芯片载片台的密封防水性能以及抗冲击性；另外，所述第一V型防水槽的外侧设置有宽度为0.30mm的第五V型防水槽，使芯片载片台的防水气密性能再次得到提升；同时，所述芯片载片台中间引线管脚的根部设置有宽度为0.04～0.16mm的第六V型防水槽，所述芯片载片台外侧两个引线管脚的根部均设置有宽度为0.03～0.15mm的第七V型防水槽，在封装过程中，这些防水槽将被塑封料填充，从而形成具有一定深度和宽度的槽体结构，形成锁扣功能，将塑封料紧紧地和框架结合，使得锁紧力进一步增强；这样的设计使芯片载片台上的V型防水槽的外部多增加了一道阻隔，所以实际框架和塑封料结合的面积大大增加，由此形成的锁扣锁紧力是原设计无法比拟的，所以在封装时塑封料与框架的结合力更好，气密性更佳，有更好的抗冲击力，可有效保证产品的可靠性。

附图说明

图1为本实施例的TO-220HF防水密封引线框架的结构示意图；

图2为图1中A-A剖结构示意放大图。

具体实施方式

下面将参照附图和具体实施例对本发明作进一步的说明。