[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201310662542.0 | 申请日: | 2013-12-09 |
公开(公告)号: | CN104124259A | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 朴盛熙;金彬 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,包括:
位于基板上的薄膜晶体管;
位于该薄膜晶体管上的第一绝缘层;
位于该第一绝缘层上的连接电极和第一辅助电极,该连接电极连接到该薄膜晶体管;
位于该连接电极和该第一辅助电极上的第二绝缘层;
位于该第二绝缘层上的阳极和第二辅助电极,该阳极连接到该连接电极,该第二辅助电极与该阳极间隔开并连接到该第一辅助电极;
位于该阳极和该第二辅助电极上的堤层,该堤层具有露出该阳极的第一接触孔和露出该第二辅助电极的第二接触孔;
位于该第一接触孔中的阳极上的有机发光层;以及
位于该有机发光层上的阴极,该阴极电连接到该第二辅助电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中该阳极包括阳极金属层和位于该阳极金属层上的阳极导电氧化物层,并且该阳极导电氧化物层接触该有机发光层。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中该阳极金属层包括反射层,该阳极导电氧化物层包括透明层。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中该阴极包括与该有机发光层接触的阴极金属层以及位于该阴极金属层上的阴极导电氧化物层,并且该阴极导电氧化物层与在该第二接触孔中的第二辅助电极电连接。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中该阴极导电氧化物层包括透明层。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中该连接电极和该第一辅助电极具有彼此相同的材料和相同的层。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中该阳极和该第二辅助电极具有彼此相同的材料和相同的层。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的至少之一包括平坦化层。
9.根据权利要求1所述的显示装置,还包括位于该第二接触孔中的第二辅助电极上的分隔部,该分隔部与该堤层间隔开。
10.一种制造有机发光二极管显示装置的方法,包括:
在基板上形成薄膜晶体管;
在该薄膜晶体管上形成第一绝缘层;
在该第一绝缘层上形成连接电极和第一辅助电极,该连接电极连接到该薄膜晶体管;
在该连接电极和该第一辅助电极上形成第二绝缘层;
在该第二绝缘层上形成阳极和第二辅助电极,该阳极连接到该连接电极,该第二辅助电极与该阳极间隔开并连接到该第一辅助电极;
在该阳极和该第二辅助电极上形成堤层,该堤层具有露出该阳极的第一接触孔和露出该第二辅助电极的第二接触孔;
在该第一接触孔中的阳极上形成有机发光层;以及
在该有机发光层上形成阴极,该阴极电连接到该第二辅助电极。
11.根据权利要求10所述的方法,其中该阳极包括阳极金属层和位于该阳极金属层上的阳极导电氧化物层,并且该阳极导电氧化物层接触该有机发光层。
12.根据权利要求11所述的方法,其中该阳极金属层包括反射层,该阳极导电氧化物层包括透明层。
13.根据权利要求10所述的方法,其中该阴极包括与该有机发光层接触的阴极金属层以及位于该阴极金属层上的阴极导电氧化物层,并且该阴极导电氧化物层与在该第二接触孔中的第二辅助电极电连接。
14.根据权利要求13所述的方法,其中该阴极导电氧化物层包括透明层。
15.根据权利要求10所述的方法,其中该连接电极和该第一辅助电极具有彼此相同的材料和相同的层。
16.根据权利要求10所述的方法,其中该阳极和该第二辅助电极具有彼此相同的材料和相同的层。
17.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的至少之一包括平坦化层。
18.根据权利要求10所述的方法,还包括位于该第二接触孔中的第二辅助电极上的分隔部,该分隔部与该堤层间隔开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的