[发明专利]具有不同阈值电压的单元布局方法、实现系统和形成布局

说明书

相关申请的交叉参考

本申请要求于2012年12月6日提交的美国临时专利申请第61/734,357号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明一般地涉及半导体技术领域，更具体地来说，涉及电路布局及其形成系统和方法。

背景技术

集成电路通常包括具有不同阈值电压的单元。例如，沿着临界速度路径的单元的阈值电压低于沿着非临界速度路径的单元。随着技术节点的减小，由于单元之间的间隔减小，用于形成具有不同阈值电压的单元的光刻和掺杂工艺变得更困难。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种形成布局的方法，所述方法包括：开发电路原理图，所述电路原理图包括多个单元；基于所述电路原理图生成所述多个单元的单元布置规则；基于所述单元布置规则开发所述多个单元的电路布局图；基于阈值电压对所述电路布局图的所述多个单元进行分组；以及将阈值电压一致的填充物插入所述电路布局图内。

在该方法中，生成所述单元布置规则包括：分析所述多个单元中的每一个单元的单元宽度和阈值电压；基于单元大小和电路类型对所述多个单元进行分组；以及基于单元大小和阈值电压限定所述多个单元的单元之间的最小面积要求。

在该方法中，分析所述单元宽度包括：将所述多个单元的每一个单元与最小值进行比较。

在该方法中，插入所述阈值电压一致的填充物包括：插入伪单元、替换单元、解耦单元或开放区域中的至少一种。

在该方法中，插入所述阈值电压一致的填充物包括：识别违背最小面积要求的单元；增大被识别单元的宽度；识别违背所述最小面积要求的开放空间；增大邻近被识别开放空间的至少一个单元的宽度；以及用至少一种阈值电压掺杂剂填充剩余的开放空间。

在该方法中，增大所述被识别单元的宽度包括：使所述阈值电压一致的填充物的阈值电压与所述多个单元的相邻单元中的至少一个单元的阈值电压相匹配。

在该方法中，填充所述剩余的开放空间包括：用单一阈值电压掺杂剂填充所述剩余的开放空间。

在该方法中，开发所述电路布局图包括：利用单元库转换所述电路原理图。

根据本发明的另一方面，提供了一种形成布局的系统，所述系统包括：存储器，被配置为储存数据；以及处理器，与所述存储器连接，所述处理器被配置为：开发包括多个单元的电路原理图；基于所述电路原理图生成所述多个单元的单元布置规则；基于所述单元布置规则开发所述多个单元的电路布局图；基于阈值电压对所述电路布局图的所述多个单元进行分组；以及将阈值电压一致的填充物插入所述电路布局图内。

在该系统中，所述处理器进一步被配置为：分析所述多个单元中的每一个单元的单元宽度和阈值电压；基于单元大小和电路类型对所述多个单元进行分组；以及基于单元大小和阈值电压限定所述多个单元的单元之间的最小面积要求。

在该系统中，所述处理器被配置为：利用所述多个单元的每一个单元与最小值之间的比较来确定所述单元大小。

在该系统中，所述处理器进一步被配置为：识别违背最小面积要求的单元；增大被识别单元的宽度；识别违背所述最小面积要求的开放空间；增大邻近被识别开放空间的至少一个单元的宽度；以及用至少一种阈值电压掺杂剂来填充剩余的开放空间。

在该系统中，所述处理器被配置为：使所述阈值一致的填充物的阈值电压与所述多个单元的相邻单元中的至少一个单元的阈值电压相匹配。

在该系统中，所述处理器被配置为：用单一阈值电压掺杂剂来填充所述剩余的开放空间。

在该系统中，所述处理器被配置为：利用单元库将所述电路原理图转换成所述电路布局图。

根据本发明的又一方面，提供了一种电路布局，包括：第一小单元，具有小于最小值的第一宽度，所述第一小单元具有第一阈值电压；第二单元，具有不同于所述第一阈值电压的第二阈值电压，所述第二单元与所述第一小单元间隔大于或等于所述最小值减去所述第一宽度的距离；以及至少一种填充物，设置在所述第一小单元和所述第二单元之间，所述至少一种填充物具有所述第一阈值电压或所述第二阈值电压。