[发明专利]VDMOS场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种VDMOS场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供具有第一类型掺杂的基底；

在所述基底中形成第一沟槽和第二沟槽；

在所述第一沟槽侧壁形成第一绝缘层，和在所述第二沟槽侧壁形成第二绝缘层；

在所述第一沟槽中填充满具有第二类型掺杂的第一多晶硅层，和在所述第二沟槽中填充满具有第二类型掺杂的第二多晶硅层，所述第二类型掺杂和第一类型掺杂相反；

在所述第一多晶硅层下的基底中形成具有第二类型掺杂的第一掩埋层，和在所述第二多晶硅层下的基底中形成具有第二类型掺杂的第二掩埋层，所述第一掩埋层和第一多晶硅层接触，所述第一掩埋层和第二掩埋层接触，所述第二掩埋层和第二多晶硅层接触；

对所述第一多晶硅层和第二多晶硅层之间的基底部分进行第二类型掺杂，形成第一阱区；

在所述第一阱区形成具有第一类型掺杂的第二阱区，所述第二阱区为第一阱区所包围；

在所述第二阱区和第一多晶硅层之间形成第一栅极，所述第二阱区部分伸入至第一栅极下；

在所述第一栅极一侧的第二阱区中形成第一源极，和在所述第一多晶硅层上表面形成第一漏极。

2.如权利要求1所述的VDMOS场效应晶体管的形成方法，其特征在于，使用推阱工艺，所述第一多晶硅层中掺杂的第二类型杂质在基底中扩散形成第一掩埋层，所述第二多晶硅层中掺杂的第二类型掺杂在基底中扩散形成第二掩埋层。

3.如权利要求1所述的VDMOS场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在所述第一栅极一侧的第二阱区中形成第一源极之前或之后，在所述第二阱区中形成具有第一类型掺杂的接触区；

所述第一源极位于所述接触区和第一栅极之间，且所述第一源极和接触区接触。

4.如权利要求1所述的VDMOS场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述第二多晶硅层和第二阱区之间形成第二栅极，所述第二阱区部分伸入至第二栅极下；

在所述第二栅极一侧的第二阱区中形成第二源极，和在所述第二多晶硅层上表面形成第二漏极。

5.如权利要求4所述的VDMOS场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在形成所述第一源极和第二源极之前或之后，在所述第二阱区中形成具有第一类型掺杂的隔离区；

所述隔离区位于所述第一源极和第二源极之间，且所述隔离区和相邻的第一源极、第二源极接触。

6.如权利要求4所述的VDMOS场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在形成所述第一绝缘层、第二绝缘层之前，对所述第一沟槽侧壁和第二沟槽侧壁进行离子注入，在所述第一沟槽侧壁和第二沟槽侧壁中形成具有第二类型掺杂的掺杂区；

所述掺杂区和第一掩埋层、第二掩埋层接触。

7.如权利要求4所述的VDMOS场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在形成所述第一栅极和第二栅极之前，在所述第一阱区的基底中形成第一隔离结构和第二隔离结构；

所述第一栅极位于所述第一隔离结构和第二阱区之间的第一阱区上，所述第二栅极位于所述第二隔离结构和第二阱区之间的第一阱区上。

8.如权利要求1～7任一项所述的VDMOS场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽为同一环形沟槽，所述第一多晶硅层和第二多晶硅层为同一环形多晶硅层，所述第一掩埋层和第二掩埋层为同一平面掩埋层，靠近所述第一阱区的第一绝缘层和第二绝缘层为同一第一环形绝缘层，远离所述第一阱区的第一绝缘层和第二绝缘层为同一第二环形绝缘层。

9.如权利要求1～7任一项所述的VDMOS场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一类型掺杂为P型掺杂，所述第二类型掺杂为N型掺杂；或者，所述第一类型掺杂为N型掺杂，所述第二类型掺杂为P型掺杂。