[发明专利]电子束检测晶圆缺陷的方法

权利要求书

1.一种电子束检测晶圆缺陷的方法，包括如下步骤：

a)、检测晶圆各芯片区表层电路与前层电路的over lay值；

b)、根据各芯片区对应的over lay值是否大于检测阈值，将所述晶圆表面划分为检测区与非检测区；其中，所述检测阈值位于各芯片区对应的over lay值中最大值与最小值之间，所述检测区至少包括一所述芯片区；

c)、移动所述晶圆，对所述检测区中的每一芯片区以电子束扫描仪进行缺陷检测。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测阈值根据所述检测区中的芯片区数目占所述晶圆全部芯片区数目的20-30%来确定。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆置于一载物台上，所述载物台包括一水平轨道和一垂直轨道，所述步骤c)中，所述载物台沿所述水平轨道或垂直轨道运动以移动所述晶圆。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述各芯片区over lay值中最大值为10nm，最小值为1nm。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述检测阈值为6nm。