[发明专利]发光二极管封装结构

说明书

技术领域

一种发光二极管封装结构，尤其是指一种在封装体外设置有隔离膜的发光二极管封装结构。

背景技术

随着对能源议题的益趋热络，发光二极管照明装置也日益受到重视。基于发光二极管材料特性，使用已高度成熟的黄光制程可得到相当小的尺寸，且兼具有发光效率高、生命期长等优点，因此其应用面相当广泛。随着可携式电子装置如智能手机、PDA及小型平板电脑皆往微型化发展，具微缩尺寸的发光二极管封装结构常用以作为小型电子器件中背光的来源。

实际应用上，一发光二极管裸晶仍需要进行后续封装制程才能真正使用。封装制程其中的一步骤，是在发光二极管裸晶上形成一封装体。封装体承载发光二极管裸晶之上，其材质为环氧树酯或是硅基材料。封装体具有多种功能，例如保护发光二极管裸晶本身免于外界破坏、防湿气及防氧化等，或是有在封装体里掺入荧光转换材质，用以转换发光二极管芯片的发光波长，达到光色转换的目的。

传统发光二极管封装结构如图1所示，一杯体110具有一底部111及围绕底部111的侧面112，底部111及侧面112之间形成一容置空间120并具有一开口120a。一发光二极管芯片130置放于底部111。一封装体140被填充于容置空间120并承载发光二极管芯片130。杯体110的侧面112通常设置一反射面112a，令发光二极管芯片130的侧向发光为其反射，使光线往开口120a集中以增加发光效率。

在上述的发光二极管封装结构中，杯体110需额外设置，且封装体140往往先以液态填充于容置空间120，再经过硬化的步骤形成固态，此习用制程不仅增加额外成本，且于制程自动化整合及量产方面会受到限制。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种发光二极管封装结构。在一发光二极管单元上承载一封装体，并在封装体外设置至少一隔离膜，隔离膜可阻挡或反射发光二极管单元的侧向光，借以增加发光二极管单元的正向光。本发明的发光二极管封装结构并兼具制程上的便利，可以市售的发光二极管芯片直接制作而成，可大幅降低制造成本。

本发明的一方面在提供一种发光二极管封装结构。发光二极管封装结构包含一发光二极管单元、一封装体以及至少一隔离膜。封装体包含若干表面及一出光面，且其中的一表面承载发光二极管单元。至少一隔离膜形成于若干表面中外露的其余表面上。其中，隔离膜可阻挡或反射发光二极管单元发射的部分光线。

在一实施例中，至少一隔离膜为二或以上于此若干表面中外露的其余表面上依序互相叠合的隔离膜。另外，各单一隔离膜或多层隔离膜总厚度介于0.2微米至20微米。此外，隔离膜可为一高分子材质、一无机化合物材质或一金属材质，金属材质可为铝、白金、黄金、银、锌或铜。无机化合物材质可为氧化锆、二氧化钛、硫酸钡、二氧化硅、氮化铝或氧化铝。

在另一实施例中，发光二极管单元为一垂直电极型发光二极管单元或一水平电极型发光二极管单元。此外，发光二极管封装结构中，于封装体下方可设置一基座或无基座，当设置有一基座时，基座承载发光二极管单元或封装体。再者，这些表面中外露的其余表面可为一倾斜面或一垂直面。

附图说明

图1绘示传统发光二极管封装结构示意图；

图2绘示依据本发明一实施例的发光二极管封装结构立体示意图；

图3A绘示依据图2的发光二极管封装结构延A-A线的剖面图；

图3B绘示依据图2的发光二极管封装结构另一实施例的剖面示意图；

图4绘示依据图2中发光二极管单元的另一实施例示意图；

图5绘示依据本发明另一实施例的发光二极管封装结构立体示意图；

图6绘示依据图5中封装体的另一实施例示意图。

具体实施方式

请参照图2、图3A及图3B，图2绘示依据本发明一实施例的发光二极管封装结构200示意图。图3A绘示依据图2的发光二极管封装结构200延A-A线的剖面图。图3B绘示依据图2的发光二极管封装结构200另一实施例的剖面示意图。

发光二极管封装结构200包含至少一发光二极管单元201、一封装体202、一第一隔离膜203a、一第二隔离膜203b、一第三隔离膜203c以及一承载基座204。在本发明中，发光二极管封装结构200可仅使用单一第一隔离膜203a，或使用二隔离膜(一第一隔离膜203a及一第二隔离膜203b)实施。而使用三隔离膜时，为本发明一较佳实施例，但并不以此为限，更可以使用三层以上隔离膜。