[发明专利]发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201310589713.1 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104518075B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 邢陈震仑;洪荣豪;林鼎尧 | 申请（专利权）人： | 葳天科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/58;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包含：
至少一发光二极管单元；
一封装体，其包含若干表面及一出光面，这些表面其中的一表面承载该至少一发光二极管单元；以及
至少三隔离膜，依序互相叠合于这些表面中外露的其余表面上；
其中，该至少三隔离膜阻挡或反射该发光二极管单元发射的部分光线，
其中，所述三隔离膜包含第一隔离膜、第二隔离膜及第三隔离膜，所述第一隔离膜直接地接触这些表面中外露的其余表面且为高分子材质或无机化合物材质，所述第二隔离膜与所述第一隔离膜接触且为金属材质，所述第三隔离膜与所述第二隔离膜接触且为高分子材质或无机化合物材质。
2.根据权利要求1的发光二极管封装结构，其特征在于，这些隔离膜总厚度介于0.2微米至20微米。
3.根据权利要求1的发光二极管封装结构，其特征在于，该至少一隔离膜中，各该隔离膜厚度介于0.2微米至20微米。
4.根据权利要求1的发光二极管封装结构，其特征在于，该金属材质为铝、白金、黄金、银、锌或铜。
5.根据权利要求1的发光二极管封装结构，其特征在于，该无机化合物材质为氧化锆、二氧化钛、硫酸钡、二氧化硅、氮化铝或氧化铝。
6.根据权利要求1的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管单元为一垂直电极型发光二极管单元或一水平电极型发光二极管单元。
7.根据权利要求1的发光二极管封装结构，其特征在于，于该封装体下方无设置基座或设置一基座，当设置有一基座时，该基座承载该发光二极管单元或该封装体。
8.根据权利要求1的发光二极管封装结构，其特征在于，这些表面中外露的其余表面为一倾斜面或一垂直面。
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