[发明专利]影像传感器封装结构及其封装方法有效
申请号: | 201310585564.1 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN103560139A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 王之奇;喻琼;王蔚 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 215021 苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感器 封装 结构 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体封装技术,特别涉及一种影像传感器封装结构及其封装方法。
背景技术
影像传感器从物体接收光信号且将光信号转化为电信号,电信号可以被传输用于进一步的处理,诸如数字化,然后在诸如存储器、光盘或磁盘的存储器件中存储,或用于在显示器上显示等。影像传感器通常用于诸如数码相机、摄像机、扫描仪、传真机等装置。影像传感器通常包括电荷耦合器件(CCD)影像传感器和CMOS影像传感器(CIS,CMOS Image Sensor)。相比于CCD影像传感器,CMOS影像传感器具有集成度高、功耗小、生成成本低等优点。
随着影像传感器的尺寸越来越小,焊垫数目不断增多,焊垫间距越来越窄,相应地,对影像传感器封装提出了更高的要求。
目前对于影像传感器芯片的封装技术有很多种,其中板上芯片(Chip on Board,COB)封装技术由于其封装的产品性能可靠稳定,集成度高,封装后的产品体积小,易用性强,产品工艺流程简单,封装的成本低等一系列优点,是目前影像传感器芯片封装中应用较为广泛的一种。
如图1所示,COB封装是采用粘接剂或自动带焊、丝焊、倒装焊等方法,将影像传感器芯片31直接贴装在电路板34上,再通过引线键合技术实现影像传感器芯片31上的焊盘32与电路板34上的连接点的电连接。由于影像传感器芯片31在COB封装过程中并没有被保护装置隔离,因此在影像传感器芯片的COB封装过程中容易对影像传感器芯片31的影像感应区33造成污染或损伤。
发明内容
本发明解决的问题是怎样防止影像传感器芯片的封装过程中的芯片污染或损伤,并提高封装的生产效率。
为解决上述问题,本发明提供一种影像传感器的封装方法,包括:提供第一基板,所述第一基板的上表面形成有若干影像感应区和环绕所述影像感应区的焊盘;提供第二基板,所述第二基板中形成有若干空腔;在第二基板的上表面形成胶带膜,胶带膜封闭空腔的开口;将第二基板的下表面与第一基板的上表面压合,使影像感应区位于空腔内;切割去除相邻空腔之间的胶带膜和部分厚度的第二基板,形成环绕所述影像感应区的空腔壁、以及位于空腔壁顶部表面封闭空腔的胶带层;去除空腔之间的第一基板上剩余的第二基板材料,暴露出焊盘的表面;将第一基板进行分割,形成单个的影像传感器芯片;将影像传感器芯片上的焊盘与第三基板上的电路通过引线电连接。
可选的,采用刀片切割去除相邻空腔之间的胶带膜和部分厚度的第二基板。
可选的,所述相邻空腔之间的第一基板上剩余第二基板的厚度小于20微米。
可选的,所述第二基板的材料为树脂。
可选的,所述第二基板的材料为玻璃、硅或陶瓷。
可选的,所述第二基板下表面上形成有粘合层,第二基板下表面和第一基板的上表面通过粘合层压合。
可选的,所述粘合层的材料为环氧树脂胶、聚酰亚胺胶、苯并环丁烯胶或聚苯并恶唑胶。
可选的,形成空腔壁的过程为:切割去除相邻空腔之间的胶带膜、第二基板和部分厚度的粘合层,形成环绕所述影像感应区的空腔壁、以及位于空腔壁顶部表面封闭空腔的胶带层;刻蚀去除相邻空腔之间的第一基板上剩余的粘合层,曝露出焊盘的表面。
可选的,去除焊盘上剩余的第二基板材料或粘合层材料采用等离子干法去胶工艺。
可选的,所述胶带膜为UV解胶胶带或热解胶胶带。
可选的,还包括:在所述胶带膜上形成保护膜;切割去除相邻空腔之间的保护膜、胶带膜和部分厚度的第二基板,形成环绕所述影像感应区的空腔壁、位于空腔壁顶部表面封闭空腔的胶带层、以及位于胶带层上的保护层。
可选的,所述保护膜的材料为光刻胶。
可选的,所述保护膜的形成工艺为旋涂工艺、喷涂工艺或贴膜工艺。
本发明还提供了一种影像传感器的封装方法,包括:提供第一基板,所述第一基板的上表面形成有若干影像感应区和环绕所述影像感应区的焊盘;提供第二基板,将第二基板下表面与第一基板的上表面压合;切割去除焊盘上部分厚度的第二基板;刻蚀去除焊盘上剩余的第二基板材料,暴露出焊盘的表面;将第一基板进行分割,形成单个的影像传感器芯片;将影像传感器芯片上的焊盘与第三基板上的电路通过引线电连接。
可选的,去除焊盘上剩余的第二基板材料采用等离子干法去胶工艺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的