[发明专利]影像传感器封装结构及其封装方法有效
申请号: | 201310585564.1 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN103560139A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 王之奇;喻琼;王蔚 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 215021 苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感器 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种影像传感器的封装方法,其特征在于,包括:
提供第一基板,所述第一基板的上表面形成有若干影像感应区和环绕所述影像感应区的焊盘;
提供第二基板,所述第二基板中形成有若干空腔;
在第二基板的上表面形成胶带膜,胶带膜封闭空腔的开口;
将第二基板的下表面与第一基板的上表面压合,使影像感应区位于空腔内;
切割去除相邻空腔之间的胶带膜和部分厚度的第二基板,形成环绕所述影像感应区的空腔壁、以及位于空腔壁顶部表面封闭空腔的胶带层;
去除空腔之间的第一基板上剩余的第二基板材料,暴露出焊盘的表面;
将第一基板进行分割,形成单个的影像传感器芯片;
将影像传感器芯片上的焊盘与第三基板上的电路通过引线电连接。
2.如权利要求1所述的影像传感器的封装方法,其特征在于,采用刀片切割去除相邻空腔之间的胶带膜和部分厚度的第二基板。
3.如权利要求1所述的影像传感器的封装方法,其特征在于,所述相邻空腔之间的第一基板上剩余第二基板的厚度小于20微米。
4.如权利要求1所述的影像传感器的封装方法,其特征在于,所述第二基板的材料为树脂。
5.如权利要求1所述的影像传感器的封装方法,其特征在于,所述第二基板的材料为玻璃、硅或陶瓷。
6.如权利要求5所述的影像传感器的封装方法,其特征在于,所述第二基板下表面上形成有粘合层,第二基板下表面和第一基板的上表面通过粘合层压合。
7.如权利要求6所述的影像传感器的封装方法,其特征在于,所述粘合层的材料为环氧树脂胶、聚酰亚胺胶、苯并环丁烯胶或聚苯并恶唑胶。
8.如权利要求6所述的影像传感器的封装方法,其特征在于,形成空腔壁的过程为:切割去除相邻空腔之间的胶带膜、第二基板和部分厚度的粘合层,形成环绕所述影像感应区的空腔壁、以及位于空腔壁顶部表面封闭空腔的胶带层;刻蚀去除相邻空腔之间的第一基板上剩余的粘合层,曝露出焊盘的表面。
9.如权利要求1、4或8所述的影像传感器的封装方法,其特征在于,去除焊盘上剩余的第二基板材料或粘合层材料采用等离子干法去胶工艺。
10.如权利要求1所述的影像传感器的封装方法,其特征在于,所述胶带膜为UV解胶胶带或热解胶胶带。
11.如权利要求1所述的影像传感器的封装方法,其特征在于,还包括:在所述胶带膜上形成保护膜;切割去除相邻空腔之间的保护膜、胶带膜和部分厚度的第二基板,形成环绕所述影像感应区的空腔壁、位于空腔壁顶部表面封闭空腔的胶带层、以及位于胶带层上的保护层。
12.如权利要求11所述的影像传感器的封装方法,其特征在于,所述保护膜的材料为光刻胶。
13.如权利要求12所述的影像传感器的封装方法,其特征在于,所述保护膜的形成工艺为旋涂工艺、喷涂工艺或贴膜工艺。
14.一种影像传感器的封装方法,其特征在于,包括:
提供第一基板,所述第一基板的上表面形成有若干影像感应区和环绕所述影像感应区的焊盘;
提供第二基板,将第二基板下表面与第一基板的上表面压合;
切割去除焊盘上部分厚度的第二基板;
去除焊盘上剩余的第二基板材料,暴露出焊盘的表面;
将第一基板进行分割,形成单个的影像传感器芯片;
将影像传感器芯片上的焊盘与第三基板上的电路通过引线电连接。
15.如权利要求14所述的影像传感器的封装方法,其特征在于,去除焊盘上剩余的第二基板材料采用等离子干法去胶工艺。
16.一种影像传感器的封装结构,其特征在于,包括:
影像传感器芯片,所述影像传感器芯片的上表面上具有影像感应区和环绕所述影像感应区的焊盘;
空腔壁,位于影像感应区和焊盘之间的影像传感器芯片的上表面上,空腔壁环绕所述影像感应区,在影像感应区上形成空腔;
胶带层,位于空腔壁的顶部表面,封闭所述空腔;
第三基板,第三基板上形成有电路,第三基板的上表面与影像传感器芯片的下表面贴合;
引线,将影像传感器芯片的上的焊盘与第三基板上的电路电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的