[发明专利]电熔丝结构及半导体器件在审
| 申请号： | 201310582628.2 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104659013A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 廖淼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电熔丝 结构 半导体器件 | ||
1.一种电熔丝结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的电熔丝，所述电熔丝包括：熔丝；分别位于所述熔丝两端、并与所述熔丝连接的阳极和阴极；
位于所述衬底上、与所述电熔丝之间被介质层电隔离的加热结构，所述加热结构用于将产生的热量传递至所述电熔丝。
2.根据权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述电熔丝的材料为金属。
3.根据权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述加热结构的材料为金属。
4.根据权利要求2或3所述的电熔丝结构，其特征在于，所述金属为铜或铝。
5.根据权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述加热结构包括：位于所述电熔丝上方或下方的第一加热单元。
6.根据权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述加热结构包括：与所述电熔丝位于同一层的第二加热单元。
7.根据权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述加热结构包括：
位于所述电熔丝上方或下方的第一加热单元；以及
与所述电熔丝位于同一层的第二加热单元。
8.根据权利要求7所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第一加热单元和第二加热单元之间，通过位于所述介质层内的导电插塞电连接；或者，
所述第一加热单元和第二加热单元之间，通过所述介质层电隔离。
9.根据权利要求5或7所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第一加热单元的数量至少为两个，且两个所述第一加热单元分别位于所述电熔丝上方、下方。
10.根据权利要求5或7所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第一加热单元和熔丝在衬底上表面上的投影交叠。
11.根据权利要求10所述的电熔丝结构，其特征在于，所述熔丝具有熔断区，所述第一加热单元和熔断区在衬底上表面上的投影交叠。
12.根据权利要求6或7所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第二加热单元和熔丝具有正对面积。
13.根据权利要求12所述的电熔丝结构，其特征在于，所述熔丝具有熔断区，所述第二加热单元和熔断区具有正对面积。
14.根据权利要求6或7所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第二加热单元作为伪图案。
15.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1至14任一项所述的电熔丝结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310582628.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示背板及其制作方法、显示装置
- 下一篇：经模制半导体封装
