[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括:

第一区域，第一区域包括堆叠的多个器件单元，所述多个器件单元的相邻器件单元由层间绝缘层隔开，并且每一个器件单元包括相应的栅极导体；以及

第二区域，第二区域与第一区域邻接，所述层间绝缘层和所述栅极导体从第一区域延伸至第二区域，第二区域包括分别将栅极导体与导线相连接的导电通道，

其中，所述第二区域还包括用于支撑所述层间绝缘层和所述栅极导体的支撑柱。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个器件单元包括公共的垂直沟道和公共的芯部绝缘层，并且所述垂直沟道围绕所述芯部绝缘层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述支撑柱包括所述垂直沟道和所述芯部绝缘层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑柱由非晶硅和多晶硅中的一种组成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑柱中相邻的支撑柱之间的距离小于层间绝缘层厚度的100倍。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述半导体器件是NAND存储器，并且所述多个器件单元中的至少一些器件单元形成实际的存储单元串，所述多个器件单元中的至少另外一些器件单元形成假存储单元串，所述支撑柱是假存储单元串。

7.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括第一区域和第二区域，第一区域包括堆叠的多个器件单元，第二区域包括用于外部接触的导电通道，所述方法包括：

形成多个牺牲层和多个层间绝缘层交替堆叠的叠层；

形成穿过所述叠层中的各个层的开口；

在第一区域的开口内形成垂直沟道；

在第二区域的开口内形成支撑柱；

去除所述多个牺牲层，使得所述多个层间绝缘层悬空，并且由所述垂直沟道和所述支撑柱支撑，在相邻的层间绝缘层之间，暴露所述垂直沟道的一部分表面；

在所述垂直沟道的所述一部分表面上形成中间电介质层；以及

在相邻的层间绝缘层之间形成栅极导体，所述栅极导体与所述垂直沟道之间由所述中间电介质层隔开。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述支撑柱与所述垂直沟道同时形成，并且具有相同的结构和材料。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述支撑柱与所述垂直沟道独立地形成，并且具有相同或不同的结构和/或材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述支撑柱由非晶硅和多晶硅中的一种组成。