[发明专利]一种多晶硅薄膜基板制作方法无效
| 申请号： | 201310573192.0 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103560077A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 刘德明 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B30/04 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅薄膜基板制作方法,其特征在于,包括:
S1在基板上制备非晶硅薄膜；
S2将S1处理过的基板穿过高频线圈。
2.如权利要求1所述方法,其特征在于,在所述步骤S2之前还包括：在所述非晶硅薄膜上制备金属薄膜；
在所述步骤S2之后还要包括：
S3将金属薄膜去除。
3.如权利要求1所述方法,其特征在于,所述步骤S1还包括：在非晶硅薄膜中掺入金属离子。
4.如权利要求1所述方法,其特征在于,在所述步骤S1之前还包括:在所述基板上制备缓冲层。
5.如权利要求4所述方法，其特征在于,所述步骤S1还包括：
在非晶硅薄膜中掺入金属离子，然后在所述非晶硅薄膜上制备金属薄膜；
在所述步骤S2之后还要包括：
S3将金属薄膜去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
