[发明专利]晶硅太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池，所述晶硅太阳能电池包括硅基片（1）和设置在所述硅基片（1）背面的氮化硅膜结构（2），其特征在于，所述氮化硅膜结构（2）包括至少两层氮化硅膜，且所述至少两层氮化硅膜的折射率沿远离所述硅基片（1）的方向依次减小。

2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，各所述氮化硅膜的折射率在1.85～2.7之间，优选1.95～2.31，所述氮化硅膜结构（2）的厚度为80～100nm。

3.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅膜结构（2）包括依次远离所述硅基片（1）的第一氮化硅膜（21）、第二氮化硅膜（22）、第三氮化硅膜（23）和第四氮化硅膜（24），所述第一氮化硅膜（21）的折射率为n₁，所述第二氮化硅膜（22）的折射率为n₂，所述第三氮化硅膜（23）的折射率为n₃，所述第四氮化硅膜（24）的折射率为n₄，且n₁＞n₂＞n₃＞n₄。

4.根据权利要求3所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述第一氮化硅膜（21）的折射率n₁为2.29～2.33，所述第二氮化硅膜（22）的折射率n₂为2.09～2.20，所述第三氮化硅膜（23）的折射率n₃为1.98～2.02，所述第四氮化硅膜（24）的折射率n₄为1.92～1.98。

5.根据权利要求4所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述第一氮化硅膜（21）的折射率n₁为2.31，所述第二氮化硅膜（22）的折射率n₂为2.12，所述第三氮化硅膜（23）的折射率n₃为2.01，所述第四氮化硅膜（24）的折射率n₄为1.95。

6.一种晶硅太阳能电池的制作方法，包括对硅基片进行表面制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、沉积氮化硅膜结构、印刷电极和烧结的步骤，其特征在于，所述沉积氮化硅膜结构的过程包括：至少两次向所述硅基片的背表面通入反应气体，形成折射率不同的至少两层氮化硅膜，且所述反应气体中SiH₄和NH₃的流量比按照通入顺序依次减小。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述反应气体中SiH₄和NH₃流量比在1:02～1:8之间，优选1:1～1:6，所述沉积氮化硅膜结构的过程持续30～40min。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述沉积氮化硅膜结构的过程包括：

步骤S1，向所述硅基片的背表面通入第一反应气体，形成第一氮化硅膜，所述第一反应气体中SiH₄和NH₃的流量比为α；

步骤S2，向所述第一氮化硅膜的表面通入第二反应气体，形成第二氮化硅膜，所述第二反应气体中SiH₄和NH₃的流量比为β；

步骤S3，向所述第二氮化硅膜的表面通入第三反应气体，形成第三氮化硅膜，所述第一反应气体中SiH₄和NH₃的流量比为γ；

步骤S4，向所述第三氮化硅膜的表面通入第四反应气体，第四氮化硅膜，所述第一反应气体中SiH₄和NH₃的流量比为θ，且α＞β＞γ＞θ。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，

实施所述步骤S1时，所述第一反应气体中SiH₄和NH₃的流量比α=2:1～1:2；

实施所述步骤S2时，所述第二反应气体中SiH₄和NH₃的流量比β=1:2～1:4；

实施所述步骤S3时，所述第三反应气体中SiH₄和NH₃的流量比γ=1:4～1:6；

实施所述步骤S4时，所述第四反应气体中SiH₄和NH₃的流量比θ=1:6～1:8。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，α=1:1；β=1:2；γ=1:4；θ=1:6。