[发明专利]纳米结构碲单晶的制备方法

权利要求书

1.一种纳米结构碲单晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:

在化学气相沉积设备的反应区内设置蒸发源，并在蒸发源下风向处设置洁净基片，再充分排除化学气相沉积设备内的空气，而后充入载气，且将化学气相沉积设备内的气压维持于设定气压值；

其后，将所述反应区温度提升至第一设定温度，保温设定时间，而将所述基片温度维持于第二设定温度，且在反应过程中，按设定流速持续通入载气；

反应结束后，继续通入载气，使化学气相沉积设备自然降温，获得具有纳米结构的碲单晶。

2.根据权利要求1所述纳米结构碲单晶的制备方法，其特征在于，所述洁净基片的制程包括：依次用有机溶剂、水清洗基片，之后吹干，获得洁净基片，其中，所述有机溶剂包括丙酮和/或异丙醇，所述基片包括Si基片。

3.根据权利要求1所述纳米结构碲单晶的制备方法，其特征在于，所述蒸发源包括GeTe粉末或Te粉末。

4.根据权利要求3所述纳米结构碲单晶的制备方法，其特征在于，所述GeTe粉末包含摩尔比为1:1的Ge和Te。

5.根据权利要求1所述纳米结构碲单晶的制备方法，其特征在于，所述载气包括氩气。

6.根据权利要求1所述纳米结构碲单晶的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积设备包括水平管式炉。

7.根据权利要求1所述纳米结构碲单晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将蒸发源置于化学气相沉积设备的反应区中部，并将洁净基片置于蒸发源的下风向处；

（2）将化学气相沉积设备内腔抽真空后，充入载气进行充洗，反复两次以上，充洗后继续通入载气，并配合通风设备，使化学气相沉积设备内的压力维持在10～15 Torr；

（3）对化学气相沉积设备进行加热，使蒸发源升温至250～420 ℃，且保温90～150 min，并控制所述洁净基片的温度为200～220 ℃，在反应过程中还按照100～150 sccm的流速持续通入载气；

（4）反应结束后，继续通载气，使化学气相沉积设备自然降温，获得具有纳米结构的碲单晶。

8.根据权利要求1或7所述纳米结构碲单晶的制备方法，其特征在于，所述洁净基片放置在距离蒸发源25～28 cm位置处。

9.根据权利要求1所述纳米结构碲单晶的制备方法，其特征在于，步骤（2）包括：将化学气相沉积设备内腔抽真空至气压低于1 mTorr，而后充入载气进行充洗。

10.根据权利要求1所述纳米结构碲单晶的制备方法，其特征在于，步骤（2）包括：在冲洗完成后，将所述化学气相沉积设备内的气压维持于10 Torr。