[发明专利]阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上沉积金属层；

在包括所述金属层的基板上涂布光刻胶；

对金属层刻蚀区域的光刻胶进行完全曝光并显影，使所述金属层刻蚀区域的光刻胶被去除，绝缘层通孔区域为不进行曝光的区域，对所述绝缘层通孔区域之外的光刻胶进行半曝光并显影，使所述绝缘层通孔区域之外的光刻胶厚度变薄；

对所述金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀；

对所述金属层刻蚀区域之外的光刻胶进行灰化，使所述金属层刻蚀区域和绝缘层通孔区域之外的光刻胶被去除，使所述绝缘层通孔区域的光刻胶厚度变薄；

在包括所述绝缘层通孔区域光刻胶的基板上沉积绝缘层；

剥离所述绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述金属层为源漏金属层，所述绝缘层为钝化层，所述绝缘层通孔区域为钝化层通孔区域；

所述对所述金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀的过程为：

对所述源漏金属层刻蚀区域的源漏金属层进行刻蚀，形成包括数据线和TFT源漏极的图案，所述钝化层通孔区域位于所述TFT的漏极处；

在所述形成绝缘层通孔之后，还包括：

在包括所述绝缘层通孔的基板上形成透明电极，使所述透明电极通过所述绝缘层通孔与所述TFT的漏极连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述金属层为栅极金属层，所述绝缘层为栅极绝缘层；

所述对所述金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀的过程为：

对所述栅极金属层刻蚀区域的栅极金属层进行刻蚀，形成包括栅线、开关TFT栅极和驱动TFT栅极的图案，所述绝缘层通孔区域位于所述驱动TFT的栅极处；

在所述剥离所述绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔的过程之前，还包括：

在包括所述绝缘层的基板上形成有源层；

在所述剥离所述绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔的过程之后，还包括：

在包括所述绝缘层通孔的基板上沉积源漏金属层，使所述开关TFT的漏极通过所述绝缘层通孔与所述驱动TFT的栅极连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

在所述包括所述绝缘层通孔的基板上沉积源漏金属层的过程之后，还包括：

在包括所述源漏金属层的基板上涂布光刻胶；

对源漏金属层刻蚀区域的光刻胶进行完全曝光并显影，使所述源漏金属层刻蚀区域的光刻胶被去除，钝化层通孔区域为不进行曝光的区域，对所述钝化层通孔区域之外的光刻胶进行半曝光并显影，使所述钝化层通孔区域之外的光刻胶厚度变薄；

对所述源漏金属层刻蚀区域的源漏金属层进行刻蚀，形成包括数据线、开关TFT源漏极和驱动TFT源漏极的图案，所述钝化层通孔区域位于所述驱动TFT的漏极处；

对所述源漏金属层刻蚀区域之外的光刻胶进行灰化，使所述源漏金属层刻蚀区域和钝化层通孔区域之外的光刻胶被去除，使所述钝化层通孔区域的光刻胶厚度变薄；

在包括所述钝化层通孔区域光刻胶的基板上沉积钝化层，剥离所述钝化层通孔区域的光刻胶，形成钝化层通孔。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

在所述形成钝化层通孔之后，还包括：

在包括所述钝化层通孔的基板上形成透明电极，所述透明电极通过所述钝化层通孔与所述驱动TFT的漏极连接。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述半曝光为半色调曝光或灰度色调曝光。

7.根据权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述灰化为O₂等离子体灰化。