[发明专利]一种具有空穴传输层的聚合物发光二极管无效
申请号: | 201310510887.4 | 申请日: | 2013-10-26 |
公开(公告)号: | CN103606631A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 丛国芳 | 申请(专利权)人: | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;C08G61/12 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 黄明哲 |
地址: | 213300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 空穴 传输 聚合物 发光二极管 | ||
技术领域
本发明涉及一种光电器件,尤其涉及一种发光二极管。
背景技术
聚合物发光二极管具有材料成本低廉,驱动电压低,主动发光,视角宽,能耗低等特点,更有易于大面积成型,发光波长可通过分子结构设计而进行调节等优势,可以广泛应用于高分辨全色平面显示器,也可以应用于聚合物太阳能电池。
当在聚合物发光二极管两端加上正向偏压,空穴由正极注入到聚合物发光层的价带并向负极迁移,电子由负极注入到聚合物发光层的导带并向正极迁移。空穴和电子在迁移过程中互相俘获,复合成激子,激子态的电子发生辐射跃迁,能量以光子形式释放出去,实现电致发光。但是,现有技术中发光二极管仍存在一些缺陷,柔性发光二极管的制备工艺复杂,成本高,制备的发光二极管的发光性能不能满足需要,因此希望研发一种更好性能的有机/聚合物发光二极管,效率高,制备工艺简单且成本低。
发明内容
本发明的聚合物发光二极管包括衬底、阳极、空穴传输层、聚合物发光层和阴极,其中,
聚合物发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻二唑的共轭聚合物,
其中,R1为氢或C1~C36的烷基;R2为氢或C1~C36的烷基;Ar为噻吩、烷基取代噻吩、烷氧基取代噻吩、联噻吩、烷基取代联噻吩、烷氧基取代联噻吩中的一种;n=3~1000。
上述的苯并噻二唑的共轭聚合物的制备方法是将苯并噻二唑的单体与噻吩单体或寡聚噻吩单体进行共聚。
进一步优选的,上述的苯并噻二唑的共轭聚合物的制备方法是将5,6-二氟-苯并噻二唑单体与联三噻吩单体或联四噻吩单体进行共聚,或者将4,7-双噻吩-5,6-二氟-苯并噻二唑单体与噻吩单体或联噻吩单体进行共聚。
与现有技术相比,本发明具有如下优点和效果:该苯并噻二唑的共轭聚合物用于制作聚合物发光二极管的发光层,使得该发光二极管具有高的能量转换效率,具有高载流子迁移率。
附图说明
图1为本发明的发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
为了使本领域技术人员更清楚的理解本发明的技术方案,下面结合附图描述其具体实施方式。
如图1所示,本发明的发光二极管包括衬底1、阳极2、空穴传输层5、聚合物发光层3和阴极4。其中,
衬底1可以是硬衬底或柔性衬底。硬衬底优选玻璃、陶瓷、金属等;柔性衬底优选聚合物材料如聚对苯二甲酸乙二酯、有机玻璃等。
阳极2优选采用氧化铟锡(ITO),利用真空溅射覆盖在衬底上面。阴极4优选为Ag导电胶,也可以是Ag薄膜或Ba/Al薄膜。
空穴传输层5优选为PEDOT或者聚乙烯基咔唑,采用旋涂等方法形成在阳极表面。
聚合物发光层3通常采用旋涂、印刷等方法制备。
聚合物发光层3的材料是具有通式(I)结构的苯并噻二唑的共轭聚合物:
其中,R1为氢或C1~C36的烷基;R2为氢或C1~C36的烷基;Ar为噻吩、烷基取代噻吩、烷氧基取代噻吩、联噻吩、烷基取代联噻吩、烷氧基取代联噻吩中的一种;n=3~1000。
上述的苯并噻二唑的共轭聚合物的制备方法是将苯并噻二唑的单体与噻吩单体或寡聚噻吩单体进行共聚。
上述的苯并噻二唑的共轭聚合物的制备方法是将5,6-二氟-苯并噻二唑单体与联三噻吩单体或联四噻吩单体进行共聚,或者将4,7-双噻吩-5,6-二氟-苯并噻二唑单体与噻吩单体或联噻吩单体进行共聚。
实施例1:
1,2-二氨基-4,5-二氟-3,6-二溴苯的制备,反应式如下:
在500毫升的双口烧瓶中,加入2,3-二氟-5,6-二硝基-1,4-二溴苯(13.24克,36.57毫摩尔)和还原铁粉(25.60克,457.14毫摩尔),在惰性气氛下加入200毫升冰醋酸,加热至45摄氏度反应4小时。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于溧阳市东大技术转移中心有限公司,未经溧阳市东大技术转移中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310510887.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择