[发明专利]半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法。

背景技术

公知有在衬底上层叠第IIIB族（III族）氮化物半导体层而成的半导体发光元件，该第IIIB族氮化物半导体层包含通过通电而发光的发光层。

存在有如下技术：在这样的半导体发光元件中，以使第IIIB族氮化物半导体层的截面形状朝向衬底侧变窄的方式使第IIIB族氮化物半导体层的侧面相对于衬底上面的法线向外侧倾斜，由此来提高半导体发光元件的光取出效率（参照专利文献1）。

专利文献1：日本特开2007－116114号公报

发明内容

但是，在半导体发光元件中使半导体层的侧面相对于衬底上面的法线向外侧倾斜的情况下，存在在半导体层的端部容易发生裂纹的隐患。

本发明的目的在于提供一种抑制了半导体层的裂纹的半导体发光元件。

本发明的半导体发光元件，包括含有发光层的半导体层，所述发光层通过通电而发光，其特征在于，所述半导体层具有：半导体底面；从该半导体底面的第1周缘向该半导体层的上方且外方立起的半导体侧面；和从该半导体侧面的上方的第2周缘向该半导体层的内方延伸从而朝向上方的半导体上面，所述第2周缘具有呈直线状延伸的多个直线部、和将相邻的该直线部彼此连接的多个连接部，在从与所述半导体上面垂直的方向观察的情况下，各连接部位于比由该连接部连接的2个直线部的延长线彼此的交点靠内侧的位置。

此外，本发明的半导体发光元件可以是，所述半导体层在所述连接部的厚度大于在所述直线部的厚度。

而且，本发明的半导体发光元件可以是，在从与所述半导体上面垂直的方向观察所述半导体层的情况下，所述多个直线部具有沿第1方向延伸的第1直线部、和沿与该第1方向垂直的第2方向延伸且经由所述连接部与该第1直线部连接的第2直线部，在从与所述半导体上面垂直的方向观察所述半导体层的情况下，设从所述第1直线部到所述第1周缘的最短距离为X，从所述第2直线部到该第1周缘的最短距离为Y，连结该第1直线部的延长线与该第2直线部的延长线的交点到该第1周缘的最短距离而成直线，从该直线与所述连接部的交点到该第1周缘的最短距离为L，则X、Y及L具有如下关系，

L²＝A×（X²＋Y²）    0＜A≦0.95。

而且，本发明的半导体发光元件可以是，在从与所述半导体上面垂直的方向观察所述半导体层的情况下，所述连接部具有圆弧形状。

而且，本发明的半导体发光元件可以是，所述半导体侧面具有从所述第1周缘向所述第2周缘的所述直线部立起的直线部侧面、和从该第1周缘向该第2周缘的所述连接部立起的连接侧面，所述连接侧面具有：从所述第1周缘向所述半导体层的上方且外方倾斜的外方倾斜面；和从该外方倾斜面的上端向所述第2周缘的所述连接部，朝向该半导体层的上方且内方倾斜的内方倾斜面。

此外，将本发明用作半导体发光元件的制造方法，则本发明的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：被覆部形成工序，对在衬底上层叠有包括通过通电而发光的发光层且由第IIIB族氮化物构成的半导体层的半导体层叠衬底，形成由与该半导体层不同的材料构成且覆盖该半导体层上的一部分区域的被覆部；分割槽形成工序，对形成有所述被覆部的所述半导体层叠衬底，从形成有该被覆部的一侧局部除去所述半导体层以使达到所述衬底，由此形成在该被覆部交叉且将该半导体层分割为多个区域的多个分割槽；和湿式蚀刻工序，对形成有所述被覆部及所述分割槽的所述半导体层叠衬底实施湿式蚀刻。

此外，本发明的半导体发光元件的制造方法可以是，在所述被覆部形成工序，形成由具有绝缘性的绝缘膜构成的所述被覆部，并形成由该绝缘膜构成且覆盖所述半导体层上的与该被覆部不同的区域的其他被覆部，在所述分割槽形成工序，形成在所述被覆部交叉且不通过所述其他被覆部的所述多个分割槽。

而且，本发明的半导体发光元件的制造方法可以是，还包括半导体除去工序：在所述被覆部形成工序之前，对所述半导体层叠衬底，从与所述衬底相反的一侧局部除去所述半导体层的一部分，形成该半导体层朝向该衬底侧凹入且相互交叉的多个槽部，将该半导体层的与该衬底相反的一侧分离为多个区域，在所述被覆部形成工序，在所述多个槽部交叉的交叉部形成所述被覆部，在所述分割槽形成工序，形成沿着所述多个槽部且在所述交叉部交叉的所述多个分割槽。