[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

说明书

相关申请的交叉引用

2012年10月23日提交的日本专利申请No.2012-233805的公开内容（包括说明书、附图和摘要）通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造技术。更特别地，本发明涉及可有效地应用于例如要安装在电源电路中的半导体器件的技术。

背景技术

日本未审专利公开No.2008-177179（专利文献1）描述了一种半导体模块，其中每个都包括形成在其中的晶体管的半导体芯片以及每个都包括形成在其中的二极管的半导体芯片单独安装在多个金属基板上，该多个半导体芯片通过金属基板和导线电耦合。

此外，日本未审专利公开No.2010-177619（专利文献2）描述了一种半导体器件，其中IGBT（芯片）和二极管（芯片）安装在同一引线框架上，并且在IGBT（芯片）和二极管（芯片）之间形成狭缝。

此外，日本未审专利公开No.2008-16515（专利文献3）描述了一种结构，其中IGBT（芯片）和二极管（芯片）接合到Cu布线板，并且冷却生片（green sheet）结合到Cu布线板的与芯片接合表面相反的表面。

专利文献

[专利文献1]日本未审专利公开No.2008-177179

[专利文献2]日本未审专利公开No.2010-177619

[专利文献3]日本未审专利公开No.2008-16515

发明内容

本发明人已经对改善要安装到例如电源电路的半导体器件的性能的技术进行了研究。作为此工作的一部分，对将包括形成在其中的晶体管的半导体芯片和包括形成在其中的用于与晶体管一起执行开关操作的二极管的半导体芯片合并到一个封装中的技术进行了研究。结果，本发明人发现，在改善半导体器件的可靠性方面还有问题。

通过此说明书的描述以及各个附图，其他目标以及新颖的特点将变得显而易见。

在根据一实施例的半导体器件中，在用于在其上安装包括形成在其中的晶体管的第一半导体芯片的第一金属板中，该第一半导体芯片的周围区域被设置为大于用于在其上安装包括形成在其中的二极管的第二半导体芯片的第二金属板中的第二半导体芯片的周围区域。

根据一实施例，可以改善半导体器件的可靠性。

附图说明

图1是示出包括安装在其中的实施例的半导体器件的电源转换器件的电路配置的说明性视图；

图2是示出实施例的半导体器件的外观的平面图；

图3是示出图2所示的半导体器件的热辐射板安装表面一侧的平面图；

图4是图2所示的半导体器件的侧视图；

图5是示出其中图4所示的半导体器件被贴附有热辐射板并且安装在图1所示的电源转换器件的安装衬底上的状态的侧视图；

图6是示出透过图2所示的密封体看到的半导体器件的内部结构的透视放大平面图；

图7是沿图6的线A-A的放大截面图；

图8是沿图6的线B-B的放大截面图；

图9是沿图6的线C-C的放大截面图；

图10是示出图1所示的包括形成在其中的晶体管元件的半导体芯片的元件结构示例的放大截面图；

图11是示出图1所示出的包括形成在其中的二极管元件的半导体芯片的元件结构示例的放大截面图；

图12是示出从其去除了图6所示的半导体芯片、导电粘接剂材料和导线的金属板的平面配置的放大平面图；

图13是示出关于图12的研究示例的放大平面图；

图14是示出关于图12的另一研究示例的放大平面图；

图15是示出关于图12的修改示例的放大平面图；

图16是示出由本发明人对图12至15所示的金属板的热辐射特性进行的评估的结果的说明性视图；

图17是示出参考图1至12描述的半导体器件的制造步骤的概要的说明性视图；

图18是示出图17所示的引线框架提供步骤中所提供的引线框架的总体结构的平面图；

图19是图18所示的一器件区域的放大平面图；

图20是示出其中半导体芯片安装在图19所示的每个金属板的芯片安装部分上的状态的放大平面图；

图21是沿图20的线A-A的放大截面图；

图22是示出其中图20所示的半导体芯片和引线通过导线键合而电耦合的状态的放大平面图；

图23是沿图22的线A-A的截面图；