[发明专利]一种OLED器件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及OLED（Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管）器件技术领域，具体地说，是一种OLED器件及其制作方法。

背景技术

OLED（Organic Light-Emitting Diode）即有机发光二极管，作为显示器件时具有宽视角、响应快、色域宽等优点，作为照明器件时具有平面化、无汞污染、高效率等特色，是下一代显示和照明的发展趋势。

在典型的OLED器件结构中，由于各膜层材料的折射率不一致造成的全反射，使得通过OLED器件发射层发出的光大部分被限制在器件中不能有效地输出到器件外，也即光耦合效率低。为提高OLED器件的光耦合效率，业界已经发展了多种方法来提高OLED器件的光耦合效率。

有机发光元件的光辐射可分为四种模式：外部模式（Radiation mode）、基板模式（Substrate mode）、波导模式（Waveguide mode）、表面等离子模式（SP，surface plasma mode），如图1所示的底发光OLED中，各模式所占比例与“发光层的发光中心和反射电极间距”之间的关系。

另外，OLED器件对水汽和氧气非常敏感，渗入器件内部的水汽和氧气会严重影响器件的发光寿命。由于有机物质及高活性第二电极金属材料对水汽和氧气有极高的灵敏度，如果无法对OLED进行有效的保护，有机材料及第二电极金属会因接触水汽和氧气发生反应而很快产生黑点及光强度衰减，进而导致整个显示器件逐步老化到永久损坏。为了延长OLED的使用寿命，在制备OLED屏体时，需要进行严密的封装。常见的封装包括采用挖槽的封装盖四周涂敷UV（Ultraviolet Rays）固化胶封装、采用激光熔融低熔点玻璃做贴合封装及制备薄层的水氧阻隔膜做薄膜封装等。其中薄膜封装的方式有采用有机无机交替封装膜的薄膜封装及采用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法）沉寂氧化硅及氮化硅等方式的封装。但现有的方法无法有效防止水汽在发光像素间的横向渗透，如图2所示，一旦水汽或氧气渗入某个像素单元的OLED器件，很快就会渗透到相邻的OLED器件，对相邻OLED器件造成损坏。 

发明内容

本发明要解决的技术问题是一种可以有效提高光耦合效率，并能防止横向渗透、封装效果好的OLED器件及其制作方法。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种OLED器件，包括基板、第一电极、有机功能层和第二电极，所述有机功能层中设有栅格，所述栅格将所述有机功能层的至少一部分分隔成多个区域；所述第二电极外侧还设有封装层。

进一步地，所述栅格将整个有机功能层分隔成多个区域。

进一步地，被所述栅格所分隔的有机功能层的每个区域呈多边形。

进一步地，所述有机功能层的每个区域呈正方形或正六边形。

进一步地，所述栅格的横截面呈矩形或梯形。

进一步地，所述栅格形成的多边形的边长为5~120微米，栅格本身的宽度为1-50 微米。

进一步地，所述栅格的材料为为无机氮化物、氧化物、氯化物或碳化物。

进一步地，所述栅格的材料为SiN_X、SiO_X、Al₂O₃、SiC或MgF₂。

进一步地，所述第二电极具有与所述栅格相适应的凹凸结构。

本发明还提供一种OLED器件的制作方法，包括：

在基板上制备第一电极；

在所述第一电极上制备栅格，所述栅格将所述第一电极上的空间围构成多个区域；

在所述栅格基础上制备有机功能层；

在所述有机功能层上制备第二电极；

在所述第二电极外侧制作封装层，形成封装。

进一步地，在所述栅格基础上制备有机功能层时，只在所述栅格围构成的区域内制备；或者在所述第一电极及栅格上方的整个空间内制备所述有机功能层，使有机功能层覆盖住所述所述第一电极及栅格。

进一步地，制备所述第二电极时，所述第二电极形成与所述栅格相适应的凹凸结构。