[发明专利]集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种具有篡改检测和响应装置的集成电路，包括：

至少一种反应材料；以及

耦合到所述至少一种反应材料的至少一个存储单元，其中所述至少一种反应材料中的放热反应引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。

2.权利要求1所述的集成电路，其中所述改变包括所述至少一个存储单元的毁坏。

3.权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一个存储单元包括相变存储器或基于金属氧化物半导体的存储器。

4.权利要求1所述的集成电路，其中电流触发所述集成电路中的所述至少一种反应材料中的所述放热反应。

5.权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一种反应材料中的所述放热反应所产生的热引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。

6.权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一种反应材料包括金属薄膜。

7.权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一种反应材料包括镍、铝、钛、铜、铜氧化物、铪氧化物、钴硅、钛硼或钯中的至少一种。

8.权利要求1所述的集成电路，还包括武装开关，所述武装开关防止在该武装开关被去激活之前电流流到所述至少一种反应材料。

9.权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一种反应材料分布在所述集成电路内的两个或更多个位置中。

10.权利要求1所述的集成电路，还包括至少一个光伏电池。

11.权利要求10所述的集成电路，其中当所述至少一个光伏电池暴露于辐射时，所述至少一个光伏电池产生电流，该电流触发所述至少一种反应材料中的所述放热反应。

12.权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一种反应材料中的至少一者位于所述集成电路的互连结构中。

13.权利要求1所述的集成电路，其中暴露于辐射引起所述至少一种反应材料中的所述放热反应。

14.权利要求1所述的集成电路，其中所述反应材料的尺寸使得所述反应材料中的所述放热反应引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。

15.一种用于制造具有篡改检测和响应装置的集成电路的方法，该方法包括：

在所述集成电路中形成至少一种反应材料；

在所述集成电路中制造至少一个存储单元；以及

将所述至少一种反应材料耦合到所述至少一个存储单元，其中所述至少一种反应材料中的放热反应引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。

16.权利要求15所述的方法，其中所述改变包括所述至少一个存储单元的毁坏。

17.权利要求15所述的方法，其中所述至少一个存储单元包括相变存储器。

18.权利要求15所述的方法，还包括：

在所述集成电路中包括至少一个光伏电池。

19.权利要求18所述的方法，其中当所述至少一个光伏电池暴露于辐射时，所述至少一个光伏电池产生电流，该电流触发所述反应材料中的放热反应。

20.权利要求18所述的方法，还包括：

在所述至少一个光伏电池与所述反应材料之间包括武装开关，用于防止所述至少一个光伏电池与所述反应材料之间的电流流动；以及

去激活所述武装开关。

21.权利要求15所述的方法，其中形成所述至少一种反应材料包括在所述集成电路内的两个或更多个位置中形成所述至少一种反应材料的多个区域。

22.一种具有篡改检测和响应装置的集成电路，包括：

衬底；

所述衬底上的至少一个门；以及

位于所述至少一个门的第一阱和第二阱之间的反应材料，其中所述反应材料中的反应引起所述门中的短路。

23.权利要求22所述的集成电路，其中所述门包括金属氧化物半导体门。

24.一种制造具有篡改检测和响应装置的集成电路的方法，包括：

在所述集成电路的衬底上形成至少一个门；

在所述门的第一阱和第二阱之间沉积反应材料，

其中所述反应材料中的反应引起所述门中的短路。