[发明专利]RFLDMOS中栅场板的制作方法

权利要求书

1.一种RFLDMOS中栅场板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在一P型硅衬底上形成P型外延层；

步骤二、在所述P型外延层上形成隔离氧化层，所述隔离氧化层在所述P型外延层中隔离出有源区，RFLDMOS器件形成于所述有源区中；

步骤三、采用第一次热氧化工艺在所述P型外延层表面生长一层栅氧化层；

步骤四、在所述栅氧化层表面淀积第一层多晶硅，并通过离子注入工艺对所述第一层多晶硅进行掺杂；采用光刻刻蚀工艺对所述第一层多晶硅进行刻蚀并由刻蚀后的所述第一层多晶硅作为RFLDMOS器件的多晶硅栅；

步骤五、采用外延生长工艺在形成有所述多晶硅栅的所述硅衬底正面生长第二层多晶硅，所述第二层多晶硅覆盖在所述多晶硅栅的顶部表面、侧面以及所述多晶硅栅外部的栅氧化层和所述隔离氧化层表面；令所述多晶硅栅的两侧面底部和所述栅氧化层相交的区域处为第一位置，由于第一位置处的所述多晶硅栅和所述栅氧化层相交，所述第一位置处的所述第二层多晶硅的质量要比所述第一位置外的质量差、在所述第一位置处的所述第二层多晶硅中的间隙要比所述第一位置外的间隙多；

步骤六、采用第二次热氧化工艺对所述第二层多晶硅进行热氧化并将所述第二层多晶硅完全转化成二氧化硅；在所述第二次热氧化工艺中，由于所述第一位置处的所述第二层多晶硅的质量较差、间隙较多，氧原子更容易穿过所述第一位置处的所述第二层多晶硅并实现对所述第一位置处的所述多晶硅栅底部的氧化，对所述第一位置处的所述多晶硅栅底部的氧化会在所述第一位置处形成一楔形氧化层，从所述多晶硅栅的侧面到所述多晶硅栅的中心位置方向上所述楔形氧化层的厚度逐渐减小到0，在所述楔形氧化层顶部正上方的所述多晶硅栅同时作为栅场板；

步骤七、形成所述LDMOS的P阱，N型漂移区，N+区组成的源区和漏区，P+区组成的P阱引出区。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中形成的所述栅氧化层的厚度为

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤三中形成的所述栅氧化层的厚度为

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤四中形成的所述第一层多晶硅的厚度为

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤四中形成的所述第一层多晶硅的厚度为

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤五中形成的所述第二层多晶硅的厚度为

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤五中形成的所述第二层多晶硅的厚度为

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：还包括如下步骤：

步骤八、在所述源区、所述漏区、所述P阱引出区和所述多晶硅栅的表面形成金属硅化物，其中所述源区和所述P阱引出区表面的所述金属硅化物连接在一起；

步骤九、淀积层间膜；采用光刻刻蚀工艺对所述层间膜进行刻蚀并形成接触孔，并在所述接触孔中填充金属；所述接触孔的底部分别和所述多晶硅栅、所述源区和所述漏区表面的所述金属硅化物接触；

步骤十、淀积金属层，对所述金属层进行图形化分别形成栅极、源极和漏极。