[发明专利]一种高响应速度、低温度系数的复位电路有效
| 申请号： | 201310477759.4 | 申请日： | 2013-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN104579263B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 霍俊杰;邰晓鹏;孙志亮;李侠;侯艳;岳超;黄钧;陈震 | 申请（专利权）人： | 北京同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22;H03K17/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区五*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 响应 速度 温度 系数 复位 电路 | ||
1.一种高响应速度、低温度系数的复位电路，其特征在于，它包括依次相连接的电压采样电路(101)、电压检测电路(102)和输出电路(103)；所述电压采样电路(101)包括第一电阻(R1)，第一电阻(R1)的一端接电源VDD，第一电阻(R1)的另一端接第一NMOS晶体管(M1)的漏极和栅极，第一NMOS晶体管(M1)的源极接第二NMOS晶体管(M2)的漏极，第二NMOS晶体管(M2)的栅极接第一NMOS晶体管(M1)的漏极，第二NMOS晶体管(M2)的源极接地VSS；所述电压检测电路(102)包括第一CMOS反相器和第一电容(C1)，第一CMOS反相器的输入端接到电压采样电路(101)中第一NMOS晶体管(M1)的源极和第二NMOS晶体管(M2)的漏极，第一CMOS反相器包括第一PMOS晶体管(M0)和第三NMOS晶体管(M3)；第一电容(C1)的一端接第一CMOS反相器的输入端,第一电容(C1)的另一端接地VSS；所述输出电路(103)包括依次相连接的第一施密特触发器(S1)、第二CMOS反相器和第三CMOS反相器，第一施密特触发器(S1)的输入端接电压检测电路(102)的输出端，第三CMOS反相器的输出端输出一个有效的复位信号(PORN)，第二CMOS反相器包括第四PMOS晶体管(M4)和第五NMOS晶体管(M5)，第三CMOS反相器包括第七PMOS晶体管(M7)和第六NMOS晶体管(M6)；输出电路(103)的输出连接到延时电路的输入端，延时电路根据电路系统的复位要求调节输出复位信号时间的长短和对复位信号整形。
2.根据权利要求1所述的高响应速度、低温度系数的复位电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管(M1)为原生NMOS晶体管，第一NMOS晶体管(M1)采用的低开启电压值在0～0.3V,第二NMOS晶体管(M2)采用的标准开启电压值在0.3V～0.7V。
3.根据权利要求1或2所述的高响应速度、低温度系数的复位电路，其特征在于，所述第一电阻(R1)采用电流源、无源电阻或者有源器件PMOS晶体管。
4.根据权利要求3所述的高响应速度、低温度系数的复位电路，其特征在于，所述电压检测电路(102)中的第一电容(C1)采用原生电容。
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