[发明专利]具有感测功能的半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及封装技术，并且尤其涉及封装半导体芯片和感测其操作量（quantity）的技术。

背景技术

半导体器件制造商不断地努力增加它们产品的性能，同时减少它们的制造成本。在半导体器件的制造中成本密集区域是封装半导体芯片。如本领域技术人员知道的，集成电路在晶片上制造，然后其被单颗化以产生半导体芯片。随后，半导体芯片可以安装在导电载体（诸如引线框架）上。在许多情况中，期望监控半导体芯片的操作或性能。以低费用且可以监控器件操作地提供小部件尺寸的封装方法是合乎期望的。

因为这些和其它的原因，存在对本发明的需要。

附图说明

包括附图以提供对实施例的进一步理解并且合并附图到本说明书中以及构成本说明书的部分。附图图示实施例并与描述一起用来解释实施例的原理。将容易体会其它实施例和实施例的许多预期的优点，因为通过参考后面的详细描述它们变得更好理解。附图的元件不一定相对彼此按比例。相同的参考数字指定对应的相似部分。

图1示意地图示根据示例性实施例的半导体封装100的俯视图；

图2示意地图示根据示例性实施例的半导体封装200的俯视图；

图3示意地图示在图1中示出的半导体封装100的沿线A-A的剖视图；

图4示意地图示在图2中示出的半导体封装200的沿线A-A的剖视图；

图5示意地图示根据示例性实施例的连接到调制单元的半导体封装100的俯视图；

图6是示意地图示在电压控制信号上的电压感测信号的调制的图；

图7示意地图示根据示例性实施例的连接到调制单元的半导体封装300的俯视图；

图8是示意地图示在供应到封装的负载端子的电流上的电流感测信号的调制的图；

图9示意地图示根据示例性实施例的连接到调制单元、评估单元和控制单元的半导体封装100的俯视图；

图10示意地图示根据示例性实施例的连接到调制单元、评估单元和控制单元的半导体封装300的俯视图；以及

图11示意地图示根据示例性实施例的感测半导体封装的操作量的示例性方法。

具体实施方式

在后面，参考附图描述了本发明的实施例，其中通篇通常利用相同的参考数字指代相同的元件，并且其中各个结构不一定按比例绘制。在后面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多特定的细节以提供对本发明实施例的一个或多个方面的全面的理解。然而，对于本领域技术人员来说可能明显的是，本发明实施例的一个或多个方面可以用这些特定的细节的更少程度来实践。因此后面的描述将不以限制的含义进行理解，并且本发明的范围由所附的权利要求限定。

应当理解的是，在这里描述的各个示例性实施例的特征可以彼此组合，除非另外特别说明。

如在这个说明书中采用的，术语“耦合”和/或“电耦合”不意图表示元件必须直接地耦合在一起；在“耦合”或“电耦合”的元件之间可以提供介入元件。然而，公开内容也应可选地包括这样的元件直接地连接或耦合在一起而没有介入元件提供在中间。

在这里描述了包含功率半导体芯片的器件。尤其可以涉及具有垂直结构的一个或多个功率半导体芯片，也就是说功率半导体芯片可以以这样的方式制造，使得电流能够以与功率半导体芯片的主表面垂直的方向流动。具有垂直结构的功率半导体芯片在其两个主表面上（也就是说在其顶面和底面上）具有电极。

功率半导体芯片（尤其垂直功率半导体芯片）可以例如配置为功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）、JFET（结型栅场效应晶体管）、功率双极晶体管或功率二极管。通过示例的方式，功率MOSFET的源电极和栅电极可以定位在一个主表面上，而功率MOSFET的漏电极布置在另一个主表面上。半导体芯片不必由特定的半导体材料（例如Si、SiC、SiGe、GaAs）制造，并且而且可以包含不是半导体的无机和/或有机材料。半导体芯片可以是不同类型的并且可以由不同的技术制造。