[发明专利]具有感测功能的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

功率半导体芯片，具有控制电极、第一负载电极和第二负载电极；

所述半导体封装的第一外部端子，电耦合到所述控制电极；

所述半导体封装的第二外部端子，电耦合到所述第一负载电极；

所述半导体封装的第三外部端子，电耦合到所述第二负载电极；和

温度传感器，直接电耦合到所述半导体封装的第一、第二和第三外部端子中的至少两个，使得所述半导体封装的第一、第二和第三外部端子中的所述至少两个直接电耦合到所述功率半导体芯片和所述温度传感器两者，

其中所述温度传感器位于所述半导体封装内部，

其中一导体将所述温度传感器电连接到所述控制电极。

2.根据权利要求1的半导体封装，其中所述封装仅具有三个外部端子。

3.根据权利要求1的半导体封装，其中所述温度传感器电耦合到所述第一外部端子和所述第三外部端子。

4.根据权利要求1的半导体封装，其中所述温度传感器在所述功率半导体芯片外部。

5.根据权利要求1的半导体封装，其中所述功率半导体芯片是功率MOSFET或IGBT。

6.根据权利要求1的半导体封装，其中所述第一外部端子、所述第二外部端子和所述第三外部端子是引线框架的部分。

7.根据权利要求1的半导体封装，进一步包括嵌入所述功率半导体芯片的密封体。

8.一种半导体器件，包括：

功率半导体芯片，具有控制电极、第一负载电极和第二负载电极；

第一端子导体，电耦合到所述控制电极；

第二端子导体，电耦合到所述第一负载电极；

第三端子导体，电耦合到所述第二负载电极；

嵌入所述功率半导体芯片的密封体；和

调制单元，经由所述第一端子导体、所述第二端子导体和所述第三端子导体中的至少一个电耦合到所述功率半导体芯片，所述调制单元配置为在供应给所述第一端子导体的控制信号上或在供应给所述第二端子导体或所述第三端子导体的负载信号上分别地调制感测信号；

其中所述调制单元在包括所述功率半导体芯片、所述第一端子导体、所述第二端子导体、所述第三端子导体和所述密封体的封装的外部，

其中所述控制信号是所述控制电极和所述第一负载电极之间的电压，以及

其中所述负载信号是漏-源电流。

9.根据权利要求8的半导体器件，其中所述感测信号具有分别比所述控制信号的频率或所述负载信号的频率高的频率。

10.根据权利要求8的半导体器件，进一步包括评估单元，所述评估单元电耦合到所述第二端子导体和所述第三端子导体中的至少一个，所述评估单元配置为解调响应于所述感测信号的负载信号贡献。

11.根据权利要求8的半导体器件，其中所述功率半导体芯片是功率MOSFET或IGBT。

12.根据权利要求8的半导体器件，进一步包括：

评估单元，电耦合到所述第二端子导体和所述第三端子导体中的至少一个，所述评估单元配置为解调响应于所述感测信号的负载信号，其中所述评估单元在包括所述功率半导体芯片、所述第一端子导体、所述第二端子导体、所述第三端子导体和所述密封体的封装外部。

13.根据权利要求8的半导体器件，其中在供应给所述第一端子导体的所述控制信号上调制所述感测信号。

14.根据权利要求9的半导体器件，其中所述感测信号的频率大于10kHz。

15.根据权利要求8的半导体器件，进一步包括设置在所述封装中的温度传感器，所述温度传感器电耦合到第一、第二和第三端子导体中的至少两个。

16.根据权利要求8的半导体器件，进一步包括在所述封装外部的分流电阻器，所述分流电阻器电耦合到第二或第三端子导体。

17.根据权利要求10的半导体器件，其中控制单元电耦合到所述评估单元并且其中所述控制信号基于由所述评估单元供应的评估结果。