[发明专利]一种Zigbee的红外线传感器制作方法无效
申请号: | 201310459741.1 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103515485A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 王萌;唐新来;李健军 | 申请(专利权)人: | 柳州市宏亿科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广西南宁汇博专利代理有限公司 45114 | 代理人: | 邓晓安 |
地址: | 545006 广西壮族自治区*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 zigbee 红外线 传感器 制作方法 | ||
技术领域
本发明属于传感器领域,具体涉及一种Zigbee的红外线传感器制作方法。
背景技术
无线传感网络是近几年应用较多的网络之一,随着互联网技术的发展对无线传感网络的研究也会有大的发展,Zigbee技术正是众多无线传感网路技术中比较成熟的一种,它具有最低的功耗和成本、足够的传输速度和距离、较大的网络容量和较好的安全特性等特点。
本申请人设计的Zigbee的红外线传感器,可应用于非接触开关机放到报警等控制装置中,在自动控制,电器节能,安防等领域具有广阔的应用前景。目前,市场上的红外线传感器多采用陶瓷体材料制作,工序繁琐且成本高。此外,陶瓷体材料厚达几十微米,器件热容较大,相应速率提高受到限制。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的不足,提供一种Zigbee的红外线传感器制作方法,本方法制作出的红外线传感器热导较低,可靠性高,响应速度快,并且耗费低。
为了实现上述目的,本发明是通过以下技术方案实现的:
一种Zigbee的红外线传感器制作方法,按照如下步骤进行:
(1) 提供衬底;
(2) 在所述衬底中细加工形成多个凹槽,在所述凹槽内填充第一释放牺牲层,在所述衬底表面覆盖膜片;
(3) 在所述膜片上形成下部电极;
(4) 进行气相释放工艺去除第一释放牺牲层;
(5) 在所述膜片和下部电极上形成热电层;
(6) 在基片上表面上形成红外结构吸收层,在该基片中局部地形成多个像素,在该红外结构吸收层的形成步骤中,沉积一种胶质微粒的分散体,从而形成一种覆盖于所述基片的吸收层,所述吸收层在热电层的上面;
(7) 然后去除部分所述吸收层以便形成多个基本吸收区,它们分别与所述多个像素连接。
作为进一步的说明,以上所述红外结构吸收层的形成包括以下几个步骤:
(1)把具有多个开孔的掩模放到所述基片上,这些开孔确定出所述基本吸收区;
(2)沉积由胶质微粒形成的所述红外结构吸收层;
(3)去除所述掩模使得局部去除上述基本上是均匀的层,以便只让这种层保留在多个所述基本吸收区中。
作为进一步的说明,以上所述胶质微粒是由Ti或TiN构成的,其直径小于90微米,所述红外结构吸收层的厚度小于10微米。
作为进一步的说明,以上所述膜片为多孔聚酰亚胺。
作为进一步的说明,以上所述衬底为SOI衬底。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明提供的传感器热导较低,可靠性高,响应速度快;加工工艺成熟,量产成本较低,工艺较简单。
附图说明
图1是本发明Zigbee的红外线传感器局部俯视图;
图2是图1的A-A剖面示意图。
附图标记:
1-接点区,2-导电通道,3-红外光结构吸收层,4-红外传感器,5-下部电极,6-上部电极,7-像素,8-热电层,9-膜片,10-衬底,11-凹槽,12-基片。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步详细的描述,但本发明的实施方式并不局限于实施例表示的范围。
实施例1:
如图1和2所示,一种Zigbee的红外线传感器制作方法,按照如下步骤进行:
(1) 提供衬底10,衬底10为SOI衬底;
(2) 在衬底10中细加工形成多个凹槽11,在凹槽11内填充第一释放牺牲层,在衬底10表面覆盖膜片9,膜片9为多孔聚酰亚胺;
(3) 在膜片9上形成下部电极5;
(4) 进行气相释放工艺去除第一释放牺牲层;
(5) 在膜片9和下部电极5上形成热电层8;
(6) 在基片12上表面上形成红外结构吸收层3,在该基片12中局部地形成多个像素7,在该红外结构吸收层3的形成步骤中,沉积一种胶质微粒的分散体,从而形成一种覆盖于基片12的红外结构吸收层,红外结构吸收层3在热电层8的上面;红外结构吸收层的厚度小于10微米;
(7) 然后去除部分红外结构吸收层3以便形成多个基本吸收区,它们分别与多个像素7连接。
红外结构吸收层3的形成包括以下几个步骤:
(1)把具有多个开孔的掩模放到基片12上,这些开孔确定出基本吸收区;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的