[发明专利]一种嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺及封装结构有效
申请号: | 201310457111.0 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103474361A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 郭学平;谢慧琴;于中尧;刘丰满 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/367 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 王爱伟 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 嵌入式 有源 埋入 功能 封装 工艺 结构 | ||
1.一种嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺,其特征在于:包括,
提供两个初级封装组件,每个初级封装组件中有机基板的金属槽内封装有芯片,所述初级封装组件具有第一主面和与第一主面相对的第二主面,所述芯片的主侧与所述第二主面同向,且其上设置有连接垫片;
将两个初级封装组件的两个第一主面相对的压合形成次级封装组件,压合后两个初级封装组件中的两个有机基板夹持封装于所述有机基板的金属槽内的芯片;
自所述次级封装组件的两个外侧面对应所述芯片上的连接垫片进行盲孔开窗口并开设盲孔至所述芯片上的连接垫片处;
在所述次级封装组件上开设通孔,所述通孔贯穿所述次级封装组件;
对所述盲孔、所述通孔以及次级封装组件的两个外侧面进行化金属作为种子层,然后进行填孔电镀;
进行第一外层线路层的制作。
2.根据权利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺,其特征在于:所述提供两个初级封装组件,其中每个初级封装组件的制作工艺包括,
提供一有机基板并在有机基板的一侧形成金属槽,所述金属槽的尺寸与待封装的芯片的尺寸相适应;
将所述芯片的主侧贴装于所述金属槽内;
在与所述芯片的主侧相对的另一侧进行金属制作以封装所述芯片;
进行区域金属蚀刻,所述区域金属蚀刻是对有电气连通的通孔的位置的金属进行蚀刻。
3.根据权利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺,其特征在于:在进行第一外层线路层的制作后,还包括,
在所述第一外层线路层的两个表面进行外层线路介质层的压合;
互连所述外层线路介质层上的介质层盲孔并进行第二外层线路层的制作。
4.根据权利要求3所述的嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺,其特征在于:在进行第二外层线路层的制作后,还包括,
在所述第二外层线路层进行外层阻焊层的制作;
进行后续的芯片的组装或植球。
5.根据权利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺,其特征在于:
所述有机基板包括有机层以及夹持所述有机层的分别位于所述有机层的两个金属层,在有机基板第一主面形成金属槽之前,其还包括,
对所述有机基板的两个金属层进行增金属工艺,使得增金属后所述有机基板的两个金属层增厚。
6.根据权利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺,其特征在于:
所述将两个初级封装组件的两个第一主面相对的压合形成次级封装组件后,其还包括,
将所述次级封装组件的两个外侧面上的金属进行减薄。
7.根据权利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺,其特征在于:
所述在所述次级封装组件上开设通孔后,其还包括,
蚀刻所述次级封装组件的两个外侧面上的金属。
8.一种封装结构,其特征在于:包括,
次级封装组件,所述次级封装组件包括两个相对压合的初级封装组件,所述初级封装组件包括有机基板以及封装于所述有机基板的金属槽内的芯片;
盲孔,自所述次级封装组件的两个外侧面对应所述芯片上的连接垫片进行设置且所述盲孔内填充有第一电镀介质;
通孔,所述通孔贯穿所述次级封装组件且所述通孔内填充有第一电镀介质;
第一外层线路层,所述第一外层线路层能够进行后续的芯片的组装或植球。
9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于:该封装结构还包括,
外层线路介质层,所述外层线路介质层压合在所述第一外层线路层的两个表面上;
介质层盲孔,所述介质层盲孔设置于所述外层线路介质层且所述介质层盲孔内填充有第二电镀介质;
第二外层线路层,所述第二外层线路层能够进行后续的芯片的组装或植球。
10.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于:该封装结构还包括,
阻焊层,所述阻焊层设置于所述第二外层线路层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造