[发明专利]肖特基晶体管的驱动电路

权利要求书

1.一种肖特基晶体管的驱动电路，包括：

输入端子，用于接收所输入的信号；

输出端子，连接到所述肖特基晶体管的栅极；

第一电源线；

第二电源线，具有低于所述第一电源线的电位；

基准晶体管，所述基准晶体管以与所述肖特基晶体管相同的方式形成，所述基准晶体管的源极和漏极中的至少一个连接到所述第二电源线；

电阻器，连接在所述第一电源线与所述基准晶体管的栅极之间；

电压生成器，连接到在所述电阻器与所述基准晶体管的栅极之间的第一节点，并且用于将等于或低于所述第一节点处的电压的电压供给到第二节点；以及

开关元件，用于响应于输入到所述输入端子的所述信号将所述第二节点处的电压传送到所述输出端子。

2.根据权利要求1所述的肖特基晶体管的驱动电路，其中，

所述电压生成器由MOS晶体管形成，

所述MOS晶体管的源极连接到所述第一电源线，

所述MOS晶体管的漏极连接到所述第二节点，以及

所述MOS晶体管的栅极连接到所述第一节点。

3.根据权利要求1或2所述的肖特基晶体管的驱动电路，其中，所述基准晶体管和所述肖特基晶体管形成在一个半导体芯片上。

4.根据权利要求1或2所述的肖特基晶体管的驱动电路，包括：

多个所述基准晶体管，其中

所述基准晶体管彼此分离地放置在一个半导体芯片上。

5.根据权利要求1或2所述的肖特基晶体管的驱动电路，其中，所述电阻器的电阻值R_G被设置为等于或大于通过公式R_G=（V_G1-V_G2）/I_G所获得的值，其中，V_G1是所述第一电源线上的电压，V_G2是所述基准晶体管的击穿电压，以及I_G是当击穿发生时经由所述电阻器流入所述基准晶体管的栅极的电流。