[发明专利]阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS及其制作方法

权利要求书

1.一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS，包括淡掺杂的硅基材料、N阱、漂移区掺杂、阶梯氧化层、多晶、栅极氧化层、P型体区内部的浓N型、P型体区、P型体区内部的浓P型、浓N型、场氧化层；所述淡掺杂的硅基材料为最底层基础；淡掺杂的硅基材料的上层为N阱；N阱的上层包括多晶构成LDMOS的栅极，N阱、漂移区掺杂和浓N型构成LDMOS的漏极，P型的体区构成LDMOS的沟道区，P型体区内部的浓N型构成LDMOS的源极；P型体区内部的浓P型与P型体区掺杂，构成LDMOS的衬底端；其特征在于：所述栅极氧化层设置在多晶与P型体区之间，所述阶梯氧化层设置在多晶与LDMOS的漏极之间，阶梯氧化层的厚度厚于栅极氧化层，且阶梯氧化层与所述多晶构成的LDMOS的栅极自对准。

2.如权利要求1所述的一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS，其特征在于：所述阶梯氧化层和栅极氧化层均为二氧化硅层。

3.如权利要求1所述的一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS，其特征在于：所述阶梯氧化层的厚度是所述栅极氧化层厚度的1.3-10倍。

4.如权利要求1所述的一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS，其特征在于：所述栅极氧化层的厚度为0.01μm -0.04μm。

5.如权利要求1所述的一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS，其特征在于：所述阶梯氧化层的厚度为0.04μm-0.2μm。

6.一种如权利要求1所述阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS的制作方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤一：在N型材料或者P型材料上制作淡掺杂的硅基材料，电阻率为0.3ohm·cm至40 ohm·cm ；

步骤二：通过注入N型杂质形成N阱，退火形成N型杂质分布；

步骤三：制作场氧化层，厚度为0.3μm-1.0μm； 

步骤四：制作阶梯氧化层，形成厚度在0.04μm-0.2μm间的氧化层，通过光刻胶的阻挡和曝光位置的不阻挡，刻蚀去掉非阶梯区域的氧化层，保留有光刻胶阻挡的氧化层；

步骤五：制作栅极氧化层，形成厚度在0.01μm-0.04μm间的氧化层；

步骤六：栅极淀积，表面淀积高掺杂的N型多晶，经过光刻胶、曝光、刻蚀，去掉不需要区域的多晶硅，保留用来做栅极的多晶硅；

步骤七：制作漂移区掺杂，通过光刻胶阻挡保护源极；通过光刻胶和多晶的自对准刻蚀阶梯氧化层，留下0.02μm-0.05μm的漏极氧化层；多晶自对准注入磷杂质，退火形成N型杂质的分布，杂质的浓度是N阱中杂质浓度的3-10倍，结深小于N阱的结深；

步骤八：在源极的一端，通过多晶自对准注入P型杂质，然后高温推进，让杂质形成横向和纵向的扩散；

步骤九：通过注入N型杂质形成LDMOS源极和漏极的浓N型区域；

步骤十：通过注入P型杂质形成P型体区接触用的浓P型区域；

步骤十一：经过温度在800℃-1000℃之间的高温加热过程，激活步骤九、步骤十中注入的杂质；

步骤十二：表面淀积氧化层；

步骤十三：接触孔的光刻、接触孔刻蚀，通过光刻胶曝光形成孔，将孔内氧化层刻蚀，形成金属和硅接触的位置；

步骤十四：表面金属化、腐蚀表面金属，在表面淀积金属层，形成电极源极、栅极的接触点。