[发明专利]半导体发光组件

权利要求书

1.一种半导体发光组件，其特征在于，包含有：

一基板，其包括一基体以及至少一设置于所述基体上的图形单元，所述图形单元包括多数设置于所述基体上的围绕部以及一设置于所述围绕部之间的中央部，所述围绕部与中央部分别具有一中心点，并根据所述围绕部的各中心点形成一几何中心点，所述中央部的中心点与所述几何中心点之间具有一间距；以及

一半导体单元，其设置于所述基板上，能通入电流而发光。

2.根据权利要求1所述的半导体发光组件，其特征在于，所述图形单元包括六个围绕部，所述围绕部是以环形设置，所述中央部的中心点与几何中心点的间距小于2000nm。

3.根据权利要求2所述的半导体发光组件，其特征在于，所述基板的各围绕部具有一第一尺寸，所述中央部具有一第二尺寸，所述第一尺寸与第二尺寸是不相同的。

4.根据权利要求3所述的半导体发光组件，其特征在于，所述基板具有一布拉格反射层，所述布拉格反射层是形成于所述围绕部与中央部的周围。

5.根据权利要求3所述的半导体发光组件，其特征在于，所述基板具有一布拉格反射层，所述布拉格反射层是局部覆盖于围绕部与中央部上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体发光组件，其特征在于，所述基板设有多数图形单元，相邻图形单元共享一个以上的围绕部。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体发光组件，其特征在于，所述基板设有多数图形单元，相邻图形单元的中央部的中心点与相对应几何中心点的间距与方位皆不相同。

8.根据权利要求6所述的半导体发光组件，其特征在于，相邻的图形单元的中央部的中心点与相对应几何中心点的间距与位移方向皆不相同。

9.根据权利要求7所述的半导体发光组件，其特征在于，所述半导体单元包括依序设置于所述基板上的一第一极性部、一量子井部、一极性与第一极性部相反的第二极性部、一第一电极以及一第二电极。

10.根据权利要求8所述的半导体发光组件，其特征在于，所述半导体单元包括依序设置于所述基板上的一第一极性部、一量子井部、一极性与第一极性部相反的第二极性部、一第一电极以及一第二电极。

11.根据权利要求7所述的半导体发光组件，其特征在于，所述半导体单元包括依序设置于所述基板上的一第一极性部、一形成二维电子气的高速传导层以及一个以上的电极，所述高速传导层包括一氮化镓层以及一氮化铝镓层，所述二维电子气是形成于氮化镓层与氮化铝镓层的接面处。

12.根据权利要求8所述的半导体发光组件，其特征在于，所述半导体单元包括依序设置于所述基板上的一第一极性部、一形成二维电子气的高速传导层以及一个以上的电极，所述高速传导层包括一氮化镓层以及一氮化铝镓层，所述二维电子气是形成于氮化镓层与氮化铝镓层的接面处。

13.根据权利要求9所述的半导体发光组件，其特征在于，所述半导体单元是砷化镓，所述基板是以砷化镓基板或磷化铟基板。

14.根据权利要求9所述的半导体发光组件，其特征在于，所述半导体单元是氮化镓、氮化铟镓、氮化铝镓或氮化铝铟镓，所述基板是氧化铝、硅、碳化硅、氮化镓、氮化铝或氧化硅。

15.根据权利要求9所述的半导体发光组件，其特征在于，所述半导体单元于所述第二极性部与第二电极间设有一透明导电层，所述透明导电层是氧化铟锡、氧化锌、氧化铝锌或氧化铟锌。