[发明专利]一种散热良好的陶瓷覆铜膜热沉模块及其制造方法在审
申请号: | 201310370150.7 | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN103413791A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 杨俊锋;庄严;庄彤;李锦添 | 申请(专利权)人: | 广州天极电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L21/48 |
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地址: | 510288 广东省广州市海珠区大干*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 散热 良好 陶瓷 覆铜膜热沉 模块 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种热沉模块及其制造方法,尤其是涉及一种散热良好的陶瓷覆铜膜热沉模块及其制造方法。 背景技术
为了提高电子设备的效率,要求越来越多的电子元件在正常工作时必须承受大的功率。例如高亮度发光二极管(High Brightness LED),聚光型太阳能电池等电子设备中电子元件就要承受足够大的功率。由于大功率的电子元件在工作时通常会产生大量的热能,若产生的热能无法适时地排除,电子元件以及整个电子设备的温度将不断的升高,从而导致电子元件和整个电子设备的性能下降甚至最终烧毁。因此,大功率电子元件需要搭配热沉模块(heat sink)以快速散热。为了提高电子元件向热沉块散热的效率,要求热沉本身具有良好的散热性能,公开号为CN 101908490 A的发明专利,公开了一种具有散热器的电路基板模组及其制造方法。该专利公开的制造方法为陶瓷基板与铜铂的直接键合( Direct Bonding Copper,简称DBC)技术,即在低于金属铜熔点(约1083℃)并高于铜与氧化铜共晶温度(1063℃)的温度范围进行热处理,将陶瓷基板与铜铂通过烧结的方法接合在一起。
直接键合(DBC)的方法存在如下两致命的缺陷:
第一:直接键合的方法烧结温度范围窄,允许的工艺温度范围为1063℃到1083℃之间。烧结的工艺窗口只有20℃,实际生产控制非常困难。
第二:直接键合的方法铜铂一般比较厚,最小厚度不小于100μm,否则铜铂与陶瓷之间无法形成比较牢固的接合。显然,过厚的铜层无法实现精细的电路图形加工。
发明内容
本发明的目的在于提供一种不仅结构简单,而且能提高金属与陶瓷的接合牢固度,延长使用寿命,大幅提升散热效能,保证产品质量的散热良好的陶瓷覆铜膜热沉模块及其制造方法。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种散热良好的陶瓷覆铜膜热沉模块,包括陶瓷基板、金属膜和铜膜层,所述陶瓷基板由氮化铝或氧化铍陶瓷制成,其上表面附着一层金属膜,其下表面附着一层铜膜层。
进一步,所述金属膜由钛、铜混合或钛、钨、铜混合或铜制成,是图形化的。
进一步,所述金属膜与所述陶瓷基板采用溅射技术接合。
进一步,所述铜膜层厚度介于0.1-1000μm。
进一步,所述铜膜层与所述陶瓷基板采用离子注入技术接合。
一种散热良好的陶瓷覆铜膜热沉模块的制造方法,包括如下步骤:
步骤一:在陶瓷基板的下表面通过离子注入的方法,形成一层铜膜层;
步骤二:在陶瓷基板的上表面通过溅射的方法,形成钛、铜混合或钛、钨、铜混合或铜金属膜;
步骤三:将形成的金属膜通过匀胶、曝光、显影的方法进行图形化,形成图形化金属膜;
步骤四:将形成的铜膜层及金属膜通过化学镀铜、电镀铜或电铸铜技术加厚到所需要的厚度,形成加厚陶瓷覆铜基板;
步骤五:将形成的加厚陶瓷覆铜基板的金属膜进行刻蚀,得到带有电路图形的加厚陶瓷覆铜基板;
步骤六:将得到的加厚陶瓷覆铜基板按形成的图形或设计尺寸进行划切,得到多个陶瓷覆铜膜热沉模块;
步骤七:将得到的陶瓷覆铜膜热沉模块用丙酮清洗,烘干,最终得到成品的陶瓷覆铜膜热沉模块。
进一步,一种散热良好的陶瓷覆铜膜热沉模块的制造方法,包括如下步骤:
步骤一:在陶瓷基板的下表面通过离子注入的方法,形成一层铜膜层;
步骤二:在陶瓷基板的上表面通过溅射的方法,形成钛、铜混合或钛、钨、铜混合或铜金属膜;
步骤三:将形成的铜膜层及金属膜通过化学镀铜、电镀铜或电铸铜技术加厚到所需要的厚度,形成加厚陶瓷覆铜基板;
步骤四:将得到的加厚陶瓷覆铜基板按形成的图形或设计尺寸进行划切,得到多个陶瓷覆铜膜热沉模块;
步骤五:将得到的陶瓷覆铜膜热沉模块用丙酮清洗,烘干,最终得到成品的陶瓷覆铜膜热沉模块。
与现有技术相比,本发明结合离子注入、溅射和化学镀或电镀或电铸工艺制备陶瓷覆铜膜热沉模块,不仅结构简单,而且提高了金属与陶瓷的接合牢固度,延长了使用寿命,大幅提升了散热效能,保证了产品质量。
附图说明
图1为本发明结构示意图;
图2为本发明金属膜有图形化的结构示意图。
具体实施方式
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