[发明专利]像素单元及其制造方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种像素单元，至少包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管至少包括栅极、源极和漏极，所述像素电极通过过孔与所述漏极电连接，且所述过孔的上端面与所述像素电极相连接，所述过孔的下端面与所述漏极相连接，其特征在于，所述过孔为阶梯孔，且所述过孔的上端面的面积大于所述过孔的下端面的面积。

2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述薄膜晶体管包括有机绝缘层，该有机绝缘层设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极上方，所述过孔贯穿所述有机绝缘层。

3.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括无机绝缘层，所述无机绝缘层设置在所述有机绝缘层和所述薄膜晶体管的源极和漏极之间，所述过孔贯穿所述无机绝缘层。

4.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，所述过孔包括大孔部和小孔部，所述大孔部和所述小孔部的一部分设置在所述有机绝缘层中，所述小孔部的另一部分设置在所述无机绝缘层中。

5.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，所述有机绝缘层由感光树脂制成，且所述无机绝缘层与所述有机绝缘层的刻蚀选择比不低于10。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述无机绝缘层为由硅的氧化物、硅的氮化物、铪的氧化物、铝的氧化物中的任意一种形成的单层结构，或者所述无机绝缘层为由硅的氧化物、硅的氮化物、铪的氧化物、铝的氧化物中的任意几种形成多层结构。

7.一种像素单元的制造方法，该制造方法至少包括如下步骤：

步骤10、形成薄膜晶体管；

步骤20、形成过孔，该过孔穿过所述像素单元的上表面到达所述薄膜晶体管的漏极，所述过孔为阶梯孔，且所述过孔的上端面的面积大于所述过孔的下端面的面积；

步骤30、形成像素电极，使得该像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接，所述过孔的上端面与所述像素电极相连接，所述过孔的下端面与所述漏极相连接。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述过孔包括大孔部和小孔部，所述有机绝缘层由感光树脂制成，所述无机绝缘层与所述有机绝缘层的刻蚀选择比不低于10，在进行所述步骤20时，对所述像素单元上与所述小孔部相对应的部分进行全曝光，对所述像素单元上环绕与所述小孔部相对应的部分、且位于与所述大孔部相对应的部分内的部分进行半曝光。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述步骤10包括：

步骤11、形成所述薄膜晶体管的源极和漏极；

步骤12、在所述源极和所述漏极上方形成无机绝缘层；

步骤13、在所述无机绝缘层上形成有机绝缘层。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述步骤20包括：

步骤21、将掩膜板设置在所述有机绝缘层的上方，对所述有机绝缘层和所述无机绝缘层进行构图，所述掩膜板包括不透光区、透光区和半透光区，所述透光区与所述小孔部对应，所述半透光区与所述大孔部对应；

步骤22、对所述有机绝缘层进行显影，并随后对显影后的所述有机绝缘层以及所述无机绝缘层进行刻蚀，以形成穿过所述有机绝缘层和所述无机绝缘层的所述过孔。

11.根据权利要求7至10中任意一项所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤30中，通过喷墨打印的方法形成所述像素电极。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括：

步骤40、对所述薄膜晶体管进行退火处理，退火温度为200℃至600℃，退火保温时间为30min至3h。

13.一种阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括至少一个权利要求1至6中任意一项所述的像素单元。

14.一种显示装置，其特征在于，该显示装置包括权利要求13所述的阵列基板。