[发明专利]多次可编程的内存

权利要求书

1.一种装置，包含：

基板；以及

设置在该基板上的鳍型结构，该鳍型结构作为n个晶体管的共享基体，该等晶体管包含单独的电荷储存层和栅极介电层，该等电荷储存层设置于该鳍型结构的上部表面以及该等栅极介电层设置于该鳍型结构的侧壁上，其中，n=2^x，x为大于或等于1的整数，其中，晶体管能在选择晶体管与储存晶体管之间互换。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，该装置为具有n个位的多位内存单元。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，该晶体管包含n个栅极，栅极可在选择栅极与控制栅极之间互换。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，该栅极包含环绕该鳍型结构的栅极电极。

5.根据权利要求3所述的装置，其中，该栅极包含藉由该鳍型结构的侧壁而分开的第一与第二子栅极。

6.根据权利要求3所述的装置，在相邻于该栅极的该鳍型结构中包含掺杂区。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，该等电荷储存层包含氧化物-氮化物-氧化物堆叠。

8.一种形成装置的方法，包含：

提供基板；以及

形成鳍型结构设置在该基板上，该鳍型结构作为n个晶体管的共享基体，该等晶体管包含单独的电荷储存层和栅极介电层，该等电荷储存层设置于该鳍型结构的上部表面以及该等栅极介电层设置于该鳍型结构的侧壁上，其中，n=2^x，x为大于或等于1的整数，其中，晶体管可在选择晶体管与储存晶体管之间互换。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，该装置为具有n个位的多位内存单元。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，该晶体管包含n个栅极，栅极可在选择栅极与控制栅极之间互换。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，该栅极包含环绕该鳍型结构的栅极电极。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，该栅极包含藉由该鳍型结构的侧壁而分开的第一与第二子栅极。

13.根据权利要求8所述的方法，包含在该等电荷储存层的侧壁上形成保护层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，该等电荷储存层包含氧化物-氮化物-氧化物堆叠。

15.根据权利要求8所述的方法，包含在相邻于该栅极的该鳍型结构中形成掺杂区。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，该等掺杂区包含耦接于选择线和位线的源极/漏极区。

17.一种多位装置，包含：

基板；

设置于该基板上的鳍型结构，该鳍型结构作为串连耦接于第一与第二单元终端之间的n个晶体管的共享基体，该等晶体管包含单独的电荷储存层和栅极介电层，该等电荷储存层设置于该鳍型结构的上部表面以及该等栅极介电层设置于该鳍型结构的侧壁上，其中，n=2^x，x为大于或等于1的整数，其中，晶体管可在选择晶体管与储存晶体管之间互换，

其中，晶体管包含第一与第二源极/漏极终端，该第一晶体管的第一源极/漏极终端耦接于该第一单元终端，该最后晶体管的第二源极/漏极终端耦接于该第二单元终端，相邻晶体管的第二源极/漏极终端和第一源极/漏极终端在该鳍型结构中形成共享源极/漏极区。

18.根据权利要求17所述的多位装置，其中，晶体管包含n个栅极，栅极可在选择栅极与控制栅极之间互换。

19.根据权利要求18所述的多位装置，其中，该晶体管包含环绕该鳍型结构的栅极电极。

20.根据权利要求18所述的多位装置，其中，该栅极包含藉由该鳍型结构的侧壁而分开的第一与第二子栅极。