[发明专利]覆晶LED芯片的制作方法

权利要求书

1.一种覆晶LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

对蓝宝石基板的出光面进行粗糙化处理或图案化处理，以在所述出光面上形成特定的图案；

在所述出光面上形成至少一层光学薄膜；

在所述蓝宝石基板的外延面上形成至少两个覆晶LED芯片；

沿相邻的所述覆晶LED芯片的分界线，在所述覆晶LED芯片的正面对所述光学薄膜进行划切；以及

沿所述分界线对所述蓝宝石基板进行劈裂，以使所述相邻的覆晶LED芯片分离，

其中，所述特定的图案为沟渠状、网格状、同心圆状、蜂窝状、连续的米字形状、连续的圆柱体状、连续的圆锥状、连续的角锥状、连续的凸球状中的任意一种或多种。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在蓝宝石基板的出光面上形成至少一层光学薄膜之前，还包括：

沿要形成的相邻的所述覆晶LED芯片的分界线，对所述出光面进行划切，以在所述出光面上形成凹槽。

3.一种覆晶LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

沿要形成的相邻的覆晶LED芯片的分界线，在所述覆晶LED芯片的正面对蓝宝石基板的出光面进行划切，以在所述出光面上形成凹槽；

对所述出光面进行粗糙化处理或图案化处理，以在所述出光面上形成特定的图案；

在所述出光面上形成至少一层光学薄膜；

在所述蓝宝石基板的外延面上形成至少两个覆晶LED芯片；以及

沿所述分界线，对所述蓝宝石基板进行劈裂，以使所述相邻的覆晶LED芯片分离，

其中，所述特定的图案为沟渠状、网格状、同心圆状、蜂窝状、连续的米字形状、连续的圆柱体状、连续的圆锥状、连续的角锥状、连续的凸球状中的任意一种或多种。

4.根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，所述粗糙化处理包括：

以高压喷砂方式使所述出光面形成粗化状态。

5.根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，所述图案化处理包括：

在所述出光面上进行激光雕刻，以在所述出光面上直接雕刻出所述特定的图案。

6.根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，所述图案化处理包括：

利用二氧化硅形成掩模；

在所述出光面上暴露所述特定的图案；以及

基于所述掩模对所述出光面进行蚀刻，从而形成所述特定的图案。

7.根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，所述图案化处理包括：

利用二氧化硅在所述出光面上形成保护层；

利用光阻抗蚀剂在所述保护层上暴露所述特定的图案；以及

基于掩模对所述保护层进行蚀刻，从而形成所述特定的图案。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述光学薄膜的折射率小于所述蓝宝石基板的折射率，并且大于空气或将要涂覆于所述光学薄膜上的透明胶的折射率。